半導(dǎo)體照明市場增速在放緩，為了節(jié)省更多的能量消耗和降低成本，需要進(jìn)一步提高基于III族氮化物L(fēng)ED的光效和良率。在半導(dǎo)體材料生長和器件制程中，將一個或多個薄層插入到其它均勻的膜中可以極大地改變半導(dǎo)體薄膜的機(jī)械，熱，光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。
華燦光電股份有限公司副總裁及研發(fā)中心負(fù)責(zé)人 王江波
2016年11月17日，第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2016) “芯片、封裝與模組技術(shù)Ⅱ”專題分會精彩繼續(xù)。華燦光電股份有限公司副總裁及研發(fā)中心負(fù)責(zé)人王江波做了題為“高光效III族氮化物基LED的插入層技術(shù)”的技術(shù)報告。
在分析當(dāng)前半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)及技術(shù)形勢的基礎(chǔ)上，王江波分析了插入層技術(shù)對III族氮化物基LED性能的影響，并具體介紹了PVD AlN、AlGaN、ZnO等幾種較為常見的插入層技術(shù)，以及較為新穎的金屬插入層技術(shù)。
王江波表示，高效LED照明應(yīng)用研究的挑戰(zhàn)集中在量子效率下降等方面。PVD AlN插入層技術(shù)有助于提升材料品質(zhì)，AlGaN插入層技術(shù)有助于降低量子效率，ZnO插入層技術(shù)有利于實現(xiàn)更好的空穴注入，金屬插入層技術(shù)有助于提高光提取。
