11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置的專(zhuān)題分會(huì)，由山東大學(xué)校長(zhǎng)、教授張榮，北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任張國(guó)義，美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國(guó)工程院院士Fred C. LEE聯(lián)合坐鎮(zhèn)，召集了全球頂級(jí)專(zhuān)家精英，打造一場(chǎng)氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會(huì)。

北京市科委雙新處副處長(zhǎng) 王紅梅
 

　　其中，北京市科委雙新處副處長(zhǎng)王紅梅出席會(huì)議并致辭。她在致辭中表示，當(dāng)前全球第三代半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展的窗口期，它的發(fā)展受到了各國(guó)政府以及更大范圍產(chǎn)業(yè)的重視和支持。氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。在過(guò)去十年中，在半導(dǎo)體照明的拉動(dòng)下，氮化鎵無(wú)論是材料和器件都得到了大幅的發(fā)展。未來(lái)氮化鎵需要跟更多的應(yīng)用需求相結(jié)合，并將在電力電子、通訊等領(lǐng)域有更廣闊的發(fā)展空間。同時(shí)也將帶動(dòng)更多的下游應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。

 

　　北京高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并把它作為新材料領(lǐng)域的重點(diǎn)發(fā)展板塊進(jìn)行支持。“十三五”期間，北京第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，將根據(jù)一、二、三、四總體布局思路，圍繞下游產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用，開(kāi)展中上游材料和器件的研發(fā)，全鏈條部署一體化實(shí)施。

 

　　前期在大家的共同努力下，我們圍繞下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求，全產(chǎn)業(yè)鏈布局和推進(jìn)一些重大技術(shù)的協(xié)同攻關(guān)，突破了6英寸碳化硅襯底材料關(guān)鍵化的產(chǎn)業(yè)技術(shù)。碳化硅二極管與三極管置備技術(shù)等一批產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的研發(fā)和攻關(guān)。在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅器件的規(guī)模化生產(chǎn)和應(yīng)用，初步建立起相對(duì)完善的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)為國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟等三家單位共同簽署協(xié)議，共建北京第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，并共同出資注冊(cè)成立實(shí)體化運(yùn)營(yíng)的公司全力推進(jìn)聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設(shè)和產(chǎn)業(yè)集群的發(fā)展。

 

　　目前，聯(lián)合創(chuàng)新基地已成功引進(jìn)了20家左右的國(guó)內(nèi)外優(yōu)勢(shì)機(jī)構(gòu)入駐，其中包括荷蘭戴爾福特理工大學(xué)中國(guó)研究院等機(jī)構(gòu)。此外，創(chuàng)新基地辦公大樓也在加緊施工中，預(yù)計(jì)明年年中左右投入使用。下一階段，我們將進(jìn)一步加大推進(jìn)工作力度，尤其是推進(jìn)氮化鎵材料和器件的發(fā)展，整合更多的資源和力量，共同推動(dòng)北京第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。