氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導體材料，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速率、高抗輻射能力等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。
11月15日-17日，2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際論壇（以下簡稱“跨國技術轉移大會”）在北京國際會議中心舉行，第十三屆中國國際半導體照明論壇并與之同期同地舉行。其中，在11月17日召開的“碳化硅電力電子器件技術分會”現場，聚集了來自全球各地頂尖專家，高質量報告密集發布，亮點十足。
會上，來自韓國東義大學Won-Jae LEE 教授介紹了韓國SiC相關研究小組的最近研發現狀。
Won-Jae LEE表示，碳化硅是電子和光電應用的一種重要的半導體材料，也是下一代電力電子材料的關鍵，相比傳統的硅基電子器件，它顯示出強大的潛力，前景光明，優勢明顯。
在過去的幾十年里，SiC功率器件的商業化項目系統不斷增加擴大。SiC晶體缺陷的減少以及制備SiC基器件/系統的成本降低對產業的有效實施，生產以及市場創造發揮了重要的作用。
許多研究小組包括韓國多家大公司已經研發出高質量的大直徑SiC晶體和功率器件，如二極管、三極管。自2010年以來，韓國政府支持的國家計劃已經啟動，批量生產6英寸的SiC晶片和功率器件。許多新公司，如電子和車輛公司對未來的碳化硅業務產生了濃厚的興趣。隨后將對其SiC研發小組DEU做以簡單介紹。
