LED通用照明進入到規模性爆發的關鍵時期，進一步提高LED的發光效率和降低LED的制備成本仍然非常重要。目前，在外延方法、能量轉換效率、熱能管理、生產設備和工藝過程控制方面，LED仍有大幅提升空間。材料與裝備技術對于LED性價比的提升至關重要，也是LED照明市場獲得發展的關鍵推動力。
在今年一年一度的半導體照明國際盛會--第十三屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2016）期間。在 “材料與裝備技術分會”聚攏了該領域一大批國際專家和企業家，暢談產業核心材料及重大裝備新進展，聚焦國產化裝備及材料新進展。分會主持由中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜和佐治亞理工大學教授Russell Dupuis共同擔任。
會上，來自美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監Mark Mckee介紹了通過高性能As/P MOCVD和離子束濺射技術加快光子發展情況。
他表示，隨著人們對數據通信、傳感、紅外照明和光纖泵浦的需求增多，光子器件如VCSEL激光器，EE激光器越來越受歡迎。未來五年現有和新增應用將呈現兩位數增長。
同時，MOCVD技術和設備滿足了光子制造商對生產設備的需求。這是器件制造邁出的關鍵一步，MOCVD技術嚴格的性能要求和技術創新滿足了客戶日益增長的需求。這些創新必然推動高收益和生產力，降低制造成本和增強設備制造商的盈利能力。
此外，Mark Mckee還表示， AR和HR的低吸收涂層需要長久的使用壽命和卓越的性能。離子束濺射是一種已被證明的沉積技術，實現了所需的性能。本演講將重點放在新k475i?MOCVD平臺，其實現了光子器件大批量制造的成本要求，以及顯著證明了AR和HR涂層所用的SPECTOR?離子束濺射技術。
