在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。

 

　　英飛凌工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點，考慮到成本效益，它已可用于不同應用。不過，為了讓這一新的半導體技術成為可以依靠的革命性技術，需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應用量身定制產品、我們的生產能力、對技術組合和系統的全面了解：這四大優勢使我們成為功率半導體市場的領導者。依托英飛凌碳化硅產品組合，我們希望并且能夠達成這一目標。”

 

　　全新1200 V碳化硅MOSFET已進行優化，同時具備高可靠性與性能優勢。其動態功率損耗要比1200V硅（Si）IGBT低一個數量級。首批產品將主推光伏逆變器、不間斷電源（UPS）和充電/儲電系統等應用。不久的將來推出的新型號，也將為打造適用于工業變頻器、醫療設備或鐵路設備輔助電源的革命性解決方案創造條件。

 

　　1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術的一大優勢在于持久的堅固耐用性。這是由于其具備較低的工作時間失效（FIT）率和有效的短路能力，可適應不同的應用。得益于4 V的閾值電壓（Vth）和+15 V的推薦接通閾值（VGS）），這些晶體管能像IGBT一樣得到控制，在發生故障時得以安全關閉。碳化硅MOSFET可以實現高速開關，另外，英飛凌碳化硅MOSFET技術可以通過柵極電阻調節來改變開關速度，因此，可以輕松優化EMC性能。

 

　　早在去年，英飛凌就已推出主導產品EASY 1B（半橋/Booster）以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin產品。EASY 1B平臺十分成熟，是實現快速開關器件的理想模塊平臺。在今年的PCIM展會上，英飛凌將展出基于1200 V SiC MOSFET技術的其他模塊平臺和拓撲。它們將逐步擴大CoolSiC MOSFET的性能范圍。英飛凌展出的碳化硅模塊包括：

 

　　· 采用B6（Six-Pack）拓撲的EASY 1B：該模塊的特點是成熟的英飛凌模塊配置，導通電阻（RDS（ON））僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續流功能。該EASY 1B適用于傳動、太陽能或焊接技術領域的應用。

　　· 采用半橋拓撲的EASY 2B：這個較大的EASY器件，其性能增強，每個開關的RDS（ON）為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過50 kW和快速開關應用的理想選擇，比如太陽能逆變器、快速充電系統或不間斷電源解決方案等。

　　· 采用半橋拓撲的62 mm：附加的半橋配置，具備更大功率，每個開關功能的RDS（ON）為6 mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統實現低電感連接創造了條件。這一特性適合諸多應用，包括醫療設備或鐵路設備的輔助電源等。由于有大量潛在應用，英飛凌預計該模塊將迅速普及。

　　供貨

 

　　在2016年PCIM上推出的旗艦產品EASY 1B和兩個分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin，今年將逐步開始批量生產。EASY 1B半橋配置現已開始供貨。為支持其市場發布，英飛凌同步推出了多種驅動模塊和演示板，這些模塊和演示板也從現在起開始供貨。新產品型號已開始提供樣片，計劃于2018年開始批量生產。了解更多信息敬請訪問：www.infineon.com/coolSiC。

 

　　英飛凌亮相PCIM 2017

 

　　在2017年國際電力電子展（PCIM）上，英飛凌展示了可提升工業、消費和汽車應用系統效率的領先技術。英飛凌在9號館412號展位（2017年5月16—18日，德國紐倫堡）展示助力建設智慧能源世界的產品和解決方案。了解PCIM展示亮點相關信息，敬請訪問：www.infineon.com/pcim。

 

　　關于英飛凌

 

　　英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司，我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2016財年（截止9月30日），公司的銷售額達65億歐元，在全球范圍內擁有約36，300名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場 OTCQX InternaTIonal Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。

 

　　英飛凌中國

 

　　英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有約2000名員工，已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。