2017年8月10日-12日，由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會和中國電子學會電子材料學分會主辦，廣東省科學院、廣東省半導體產業技術研究院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟承辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司協辦的第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將在青海省會西寧召開。

 

　　近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，基于寬禁帶半導體材料半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。

 

　　第二屆全國寬禁帶半導體學術會議將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研的相互合作和交流。強大的嘉賓團加上高質量的內容，將帶來一場寬禁帶半導體領域的一場別開生面的交流盛會，也為本屆會議凝聚了超高的人氣。值得一提的是，本屆嘉賓陣容星光熠熠，超高規格，其中原國家科學技術部副部長曹健林，中國科學院院士、北京大學教授甘子釗，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓將領銜擔任名譽主席。同時大會更是集結了來自中國科學院、中國工程院的多位院士，以及全國寬禁帶半導體照明領域的優勢力量共同坐鎮，為大會提供強有力的支持。

 

　　氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料技術及應用正在成為全球半導體產業新的戰略高地，被認為或將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局。從會議設置來看，開幕大會特邀南京大學電子科學與工程學院鄭有炓院士、浙江大學盛況教授、中科院物理所研究員陳小龍、廈門大學康俊勇教授，中國電子科技集團公司第十三研究所蔡樹軍所長做特邀報告；閉幕大會還特邀了浙江大學葉志鎮教授、華南理工大學彭俊彪教授、山東大學晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員、香港科技大學陳敬教授從不同研究領域分享前沿研究。

 

　　除了開閉幕大會以外，還設置5個分會場，圍繞材料生長、材料物性表征及仿真、LED及照明技術電力電子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它寬禁帶半導體材料與器件等不同主題進行深入探討。從分會報告內容來看，圍繞第三代半導體的前沿發展、技術應用、產業化等多個維度都將有重量級的報告呈現。既有寬禁帶半導體的發展新動向，亦有碳化硅、氮化鎵材料，以及器件等的最新研究進展及發展方向，將以開闊的視野展現寬禁帶半導體領域的現在與未來，非常令人期待。

 

　　大會也受到業界高度關注，不僅收到了大批高質量的論文，而且各大科研機構、高校、名企也積極派代表報名參會。據組委會介紹，截止日前，已收到投稿170余篇，大會邀請報告10篇，分會邀請報告40余篇。

 

　　當前，國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，被認為是“換道超車”的重要發展窗口期，我國也在積極推進寬禁帶半導體的發展。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產業發展起到有力的推動作用。
以下是活動最新日程：（備注：最終議程以活動當天為準）