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契合國家發展戰略，超寬禁帶半導體研究待突破

發布日期：2017-10-11 來源：中國半導體照明網作者：JACK瀏覽次數：490

　　以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。

　　對于超寬帶隙半導體的研究契合國家發展戰略，對于我國搶占第三代半導體技術制高點、掌握國際競爭主導權具有重要意義。尤其是以金剛石為代表的超寬禁帶半導體材料具有獨特優點，是對第三代寬禁帶半導體產業的完善和堅強補充。目前，我國在超寬帶隙半導體材料和器件發展過程中可能會遇到各種問題和瓶頸需要深入研究。

　　2017年11月1日-3日，2017國際第三代半導體論壇（IFWS2017）將在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。作為半導體照明領域最具規模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。本屆論壇（IFWS2017）將以全新形式和主題亮相北京，并與第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2017）同期舉行。

　　2017國際第三代半導體論壇是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和中關村科技園區順義園管理委員會主辦，得到科技部、發改委、工信部、北京政府等相關部門大力支持。論壇全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

　　其中，“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會作為論壇六大技術分會之一，邀請中科院微電子所教授、中國科學院院士劉明和廈門大學校長、南京大學教授張榮聯合坐鎮該技術分會并擔任分會主席。分會將重點關注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新應用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。

　　該分會，除了兩位重量級專家坐鎮以外，還有強大的委員和特邀報告人參與。作為分會委員的西安交通大學王宏興教授，在III-V族半導體薄膜外延生長及發光器件，大面積金剛石襯底及高質量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發射陰極、場致發射光源及其他場致發射電子器件，MOCVD設計開發、特殊直流CVD設計開發、微波等離子體CVD的設計開發等領域做出了許多創新性工作。在Carbon、Applied Physics Letters、Scientific Reports、Applied Surface Science、Diam. Relat. Mater等期刊發表SCI論文70余篇，申請和獲授權的中國、日本、美國、PCT專利100余項。

　　分會委員山東大學晶體材料國家重點實驗室主任陶緒堂教授，現任山東大學教授、晶體材料研究所所長、晶體材料國家重點實驗室主任。2002年度教育部長江學者特聘教授、2003年度國家杰出青年基金、2005年度教育部創新團隊和2007年度國家自然科學基金委創新群體學術帶頭人。兼任中國硅酸鹽學會理事，中國晶體學會理事, 中國硅酸鹽學會晶體生長專業委員會委員，中國物理學會固體缺陷專業委員會副主任，第六屆教育部科學技術委員會國防科技學部委員。

　　分會委員同濟大學徐軍教授，現任同濟大學物理科學與工程學院、高等研究院教授、博士生導師。國家杰出青年基金和中科院“百人計劃”獲得者。作為項目負責人，先后主持國家級課題20余項，是國家“九五”、“十五”國家“863”新材料項目、中科院重大項目和國防重大專項的項目負責人。發表論文500余篇，申請發明專利數十項。主要從事激光與光學晶體研究，包括激光晶體、超寬禁帶半導體晶體、晶體生長科學與技術等。

　　同時，還特邀報告嘉賓廣西大學物理科學與工程技術學院杰出教授馮哲川、電子科技大學教授劉興釗及日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA等業界知名專家。其中，廣西大學物理科學與工程技術學院杰出教授馮哲川他從事于第三代半導體研發，碳化硅已33年和III族氮化物已21年，主要研究方向和領域著重于寬能隙半導體的多學科材料研究及奈米器件制程及研發，金屬氧化物化學氣相外延和其他技術長晶及研究，表面科學，同步輻射，多學科檢測技術在光學/電子材料/結構的應用，計算機理論仿真寬能隙半導體及奈米結構之光學和材料特性。作為本次會議特邀報告人，馮哲川教授將重點介紹“Ga2O3復合體系薄膜的光學和結構特性”研究報告。

　　特邀報告人電子科技大學劉興釗教授長期從事電子薄膜材料的生長及其應用研究，目前的主要研究方向有：壓阻薄膜及集成傳感器、介電/寬禁帶半導體集成薄膜及場效應晶體管、壓電薄膜及薄膜體聲波諧振器，在Thin Solid Films、Physica C、Supercond. Sci. Techn.、Jpn. J. Appl. Phys.等雜志發表及合作發表論文60多篇，獲國家發明二等獎、省部一等、二等獎各一項(排名第二)。會上，他將帶來“藍寶石襯底上制備高性能?-Ga2O3薄膜及日盲紫外光電探測器研究”最新進展。

　　目前，仍有部分重量報告人報告正在陸續提交中，屆時會上將呈現超寬帶半導體及其它新型寬禁帶半導體材料與器件研究應用的最新進展。