以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?
對于超寬帶隙半導(dǎo)體的研究契合國家發(fā)展戰(zhàn)略，對于我國搶占第三代半導(dǎo)體技術(shù)制高點、掌握國際競爭主導(dǎo)權(quán)具有重要意義。尤其是以金剛石為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有獨特優(yōu)點，是對第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的完善和堅強補充。目前，我國在超寬帶隙半導(dǎo)體材料和器件發(fā)展過程中可能會遇到各種問題和瓶頸需要深入研究。
2017年11月1日-3日，2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2017）將在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。作為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。本屆論壇（IFWS2017）將以全新形式和主題亮相北京，并與第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2017）同期舉行。
2017國際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會主辦，得到科技部、發(fā)改委、工信部、北京政府等相關(guān)部門大力支持。論壇全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。
其中，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會作為論壇六大技術(shù)分會之一，邀請中科院微電子所教授、中國科學(xué)院院士劉明和廈門大學(xué)校長、南京大學(xué)教授張榮聯(lián)合坐鎮(zhèn)該技術(shù)分會并擔(dān)任分會主席。分會將重點關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。
該分會，除了兩位重量級專家坐鎮(zhèn)以外，還有強大的委員和特邀報告人參與。作為分會委員的西安交通大學(xué)王宏興教授，在III-V族半導(dǎo)體薄膜外延生長及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質(zhì)量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發(fā)射陰極、場致發(fā)射光源及其他場致發(fā)射電子器件，MOCVD設(shè)計開發(fā)、特殊直流CVD設(shè)計開發(fā)、微波等離子體CVD的設(shè)計開發(fā)等領(lǐng)域做出了許多創(chuàng)新性工作。在Carbon、Applied Physics Letters、Scientific Reports、Applied Surface Science、Diam. Relat. Mater等期刊發(fā)表SCI論文70余篇，申請和獲授權(quán)的中國、日本、美國、PCT專利100余項。
分會委員山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室主任陶緒堂教授，現(xiàn)任山東大學(xué)教授、晶體材料研究所所長、晶體材料國家重點實驗室主任。2002年度教育部長江學(xué)者特聘教授、2003年度國家杰出青年基金、2005年度教育部創(chuàng)新團隊和2007年度國家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新群體學(xué)術(shù)帶頭人。兼任中國硅酸鹽學(xué)會理事，中國晶體學(xué)會理事, 中國硅酸鹽學(xué)會晶體生長專業(yè)委員會委員，中國物理學(xué)會固體缺陷專業(yè)委員會副主任，第六屆教育部科學(xué)技術(shù)委員會國防科技學(xué)部委員。
分會委員同濟大學(xué)徐軍教授，現(xiàn)任同濟大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院、高等研究院教授、博士生導(dǎo)師。國家杰出青年基金和中科院“百人計劃”獲得者。作為項目負(fù)責(zé)人，先后主持國家級課題20余項，是國家“九五”、“十五”國家“863”新材料項目、中科院重大項目和國防重大專項的項目負(fù)責(zé)人。發(fā)表論文500余篇，申請發(fā)明專利數(shù)十項。主要從事激光與光學(xué)晶體研究，包括激光晶體、超寬禁帶半導(dǎo)體晶體、晶體生長科學(xué)與技術(shù)等。
同時，還特邀報告嘉賓廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院杰出教授馮哲川、電子科技大學(xué)教授劉興釗及日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA等業(yè)界知名專家。其中，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院杰出教授馮哲川他從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)，碳化硅已33年和III族氮化物已21年，主要研究方向和領(lǐng)域著重于寬能隙半導(dǎo)體的多學(xué)科材料研究及奈米器件制程及研發(fā)，金屬氧化物化學(xué)氣相外延和其他技術(shù)長晶及研究，表面科學(xué)，同步輻射，多學(xué)科檢測技術(shù)在光學(xué)/電子材料/結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，計算機理論仿真寬能隙半導(dǎo)體及奈米結(jié)構(gòu)之光學(xué)和材料特性。作為本次會議特邀報告人，馮哲川教授將重點介紹“Ga2O3復(fù)合體系薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性”研究報告。
特邀報告人電子科技大學(xué)劉興釗教授長期從事電子薄膜材料的生長及其應(yīng)用研究，目前的主要研究方向有：壓阻薄膜及集成傳感器、介電/寬禁帶半導(dǎo)體集成薄膜及場效應(yīng)晶體管、壓電薄膜及薄膜體聲波諧振器，在Thin Solid Films、Physica C、Supercond. Sci. Techn.、Jpn. J. Appl. Phys.等雜志發(fā)表及合作發(fā)表論文60多篇，獲國家發(fā)明二等獎、省部一等、二等獎各一項(排名第二)。會上，他將帶來“藍(lán)寶石襯底上制備高性能?-Ga2O3薄膜及日盲紫外光電探測器研究”最新進(jìn)展。
目前，仍有部分重量報告人報告正在陸續(xù)提交中，屆時會上將呈現(xiàn)超寬帶半導(dǎo)體及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究應(yīng)用的最新進(jìn)展。
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