2017年11月1日，由北京市順義區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）和國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。開幕式上，美國弗吉尼亞理工大學教授，美國電力電子工程中心主任，美國工程院院士Dushan BOROYEVICH 則帶來關于創新型高功率電力電子發展的主題報告，分享了相關技術的發展動態。
高功率電力電子將成為國家科技戰略布局的重要方向，Dushan BOROYEVICH表示，第三代半導體半導體材料不僅提高了效率、功率，更給我們打開了非常多的可能性。我們都希望電子產品器件能變的越來越小，但是卻希望它功率能夠越來越大，能夠提供更好的效率和服務。我們要看看如何能夠量化，或者說如何能夠更好地進入這個市場。
Dushan BOROYEVICH詳細介紹了關于碳化硅MOSFET、氮化鎵等的測試研究，并結合美國能源項目局資助的使用創新半導體的項目，分析了高能耗和高功率的碳化硅MOSFET模型的應用過程以及研究結果。他表示，電壓在500伏以下，硅基氮化鎵的使用是更合適的，而更高頻的模具和轉換器也是一定要開發出來的。
他同時表示，電網互聯網是一個全新的游戲，我們可以做一些原來沒有做的努力嘗試，比如，如果現在把這些開關的頻率變成100赫茲或者10或者幾十的赫茲就是完全不一樣的情況，不僅僅是元件，還有它的周邊也需要改變。我們還有很多可以做的，對于投資者也是很好的風口。
