2017年11月1日，由北京市順義區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）和國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦的第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇開(kāi)幕大會(huì)在北京順義隆重召開(kāi)。開(kāi)幕式上，美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)教授，美國(guó)電力電子工程中心主任，美國(guó)工程院院士Dushan BOROYEVICH 則帶來(lái)關(guān)于創(chuàng)新型高功率電力電子發(fā)展的主題報(bào)告，分享了相關(guān)技術(shù)的發(fā)展動(dòng)態(tài)。

高功率電力電子將成為國(guó)家科技戰(zhàn)略布局的重要方向，Dushan BOROYEVICH表示，第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料不僅提高了效率、功率，更給我們打開(kāi)了非常多的可能性。我們都希望電子產(chǎn)品器件能變的越來(lái)越小，但是卻希望它功率能夠越來(lái)越大，能夠提供更好的效率和服務(wù)。我們要看看如何能夠量化，或者說(shuō)如何能夠更好地進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)。

Dushan BOROYEVICH詳細(xì)介紹了關(guān)于碳化硅MOSFET、氮化鎵等的測(cè)試研究，并結(jié)合美國(guó)能源項(xiàng)目局資助的使用創(chuàng)新半導(dǎo)體的項(xiàng)目，分析了高能耗和高功率的碳化硅MOSFET模型的應(yīng)用過(guò)程以及研究結(jié)果。他表示，電壓在500伏以下，硅基氮化鎵的使用是更合適的，而更高頻的模具和轉(zhuǎn)換器也是一定要開(kāi)發(fā)出來(lái)的。

他同時(shí)表示，電網(wǎng)互聯(lián)網(wǎng)是一個(gè)全新的游戲，我們可以做一些原來(lái)沒(méi)有做的努力嘗試，比如，如果現(xiàn)在把這些開(kāi)關(guān)的頻率變成100赫茲或者10或者幾十的赫茲就是完全不一樣的情況，不僅僅是元件，還有它的周邊也需要改變。我們還有很多可以做的，對(duì)于投資者也是很好的風(fēng)口。