2017年11月1日-3日，SSL國際系列論壇在中國地區的年度盛會--第十四屆中國國際半導體照明論壇將北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。本屆論壇（SSLCHINA 2017）將以全新形式和主題亮相北京，并與國際第三代半導體論壇（IFWS2017）同期舉行。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦。中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，并得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　作為論壇的重要組成部分，新型顯示與照明技術分會，由東旭光電科技股份有限公司、湖州明朔光電科技有限公司支持協辦，針對當前顯示與照明領域的熱點和前沿問題，匯聚來自顯示、照明等不同領域的國內外同行專家，權威解讀顯示、照明的發展脈動。分會由蘇州大學教授廖良生和北京交通大學教授徐征共同坐鎮主持。

 

　　會上，來自瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN分享了“GaN光電器件CVD石墨烯透明電極應用”報告。他表示，石墨烯是傳統的石墨剝離制備方法，制備大面積單層石墨烯具有挑戰性。最近開發了用于過渡金屬的石墨烯化學氣相沉積（CVD）方法。提出了一種新的非催化化學氣相沉積（相對于催化石墨烯CVD金屬）機制來解釋我們的實驗結果。隨著CVD石墨烯轉移過程相關聯的復雜。對直接生長法的一些初步結果，13表明其在GaN光電子的實際工業應用前景廣闊。

 

　　石墨烯是自2010年得到諾貝爾獎以后得到了各個熱點的研究，在許多領域有了一個突出的應用，比如說顯示、生物醫藥等等；有人說石墨烯是主導未來高技術競爭的戰略性新型材料。另外一個是第三代半導體，是目前自主可控、可持續發展的信息化社會的材料基石，節能減排效果明顯，快速培養新的經濟增長點，促進重大基礎產業轉型升級，應用于雷達、光電探測預警系統，對國家信息安全、國防建設意義重大，在未來有非常大的需求規模。

 

　　中國科學院半導體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質外延，初步實現了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調整晶核生長得到納米柱的結構，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的影響是很大。在非晶襯底上發現納米的生長，我們進一步成膜增長，結合起來晶體是比較差。在藍寶石襯底上做了一個成膜生長，在藍寶石上分別是500和2000多，我們現在的數據可以做到100多。多層石墨烯的實驗，會影響趨向一致性，層數越多影響越明顯，這是在硅上的一個石墨烯的生長，在硅上能看出來趨向一致性明顯變差。

 

　　耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSEL。

 

　　中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經引起人們的廣泛關注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發光均勻性和減少基藍光LD結構面自支撐GaN襯底上生長GaN的內部損失。同質外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經實現了綠色激光器結構1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續波作用下，綠光LD的輸出功率為100毫瓦。

 

　　中國科學院半導體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術的集成框架研究報告。他表示，技術、成本和應用場景是照明與現實技術融合的關鍵因素。通過對光源技術發展的分析目前主要的照明技術與顯示技術的基本架構、控制難度和成本組成。給出了照明與現實技術融合的技術與成本條件。同時對照明與現實技術融合的應用場景進行了分類分析。

 

　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術適應更多樣化的需求以及顯示控制技術成本的降低，使得產品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術趨勢，它主要涉及到的技術內容可能包括廉價怎么降低成本，耐用性，如果采用嵌入式等形式，涉及多結構還有其他的技術，如果到處有這樣的終端，可能會產生對內容服務的需求，外延上面最初步的可能是簡單集成工具，把燈具和顯示器簡單的結合在一起，如果真正的實現單位式的融合，比如我們做成窗戶，做成繪畫和藝術品，做基本的做成墻。顯示和照明是生活中LED應用的主要方向，有可能存在兩者融合發展的需求，這個需要我們在光生物方面和高效率的器件方面做更多的工作。

 

　　近年來高分辨率、高PPI的Micro-LED顯示技術正吸引著越來越多的關注。相比起其他顯示器件，Micro-LED具有優越的自身優勢如自發光、高亮度、高效率、低功耗、長壽命、極其寬廣的工作環境等，使得Micro-LED有望在多項應用領域的發揮其特點。比如它可以在強光照的條件下依然保持高顯示質量，因而被看作是最具競爭力的戶外顯示方式。

 

　　南方科技大學副教授劉召軍在分享“可編程有源矩陣Micro-LED顯示器的設計與制作”報告中表示，Micro-LED還可以被用于微型投影儀，不僅所需光路簡單還可以大大提高整個系統的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件應用中也炙手可熱，適用于低功耗高亮度大視角的頭戴式眼鏡等應用場景。此外，基于氮化鎵材料的Micro-LED在多種極端環境下依然能保持高度穩定性和可靠性，這使得其在特種應用方面前景更加廣闊。劉教授重點對介紹了 Micro-LED的電學特性和最優化設計； 電流控制電流源設計架構的有源選址Micro-LED像素驅動電路。Micro-LED有源驅動背板中的光致漏電流問題及其解決方法。他希望通過這些設計思路為廣大Micro-LED研究單位和公司顯示提供良好的基礎。

 

　　臺灣交通大學的教授郭浩中在“基于量子點氣溶膠噴射技術的高性能全彩微顯示器”報告中指出，目前，光利用效率（LUE）液晶顯示器仍低于2.8%。大多數無源元件，如彩色濾光片，可以吸收來自LED背光的大量光子。因此，為了滿足預期的輸出發光，顯示器的工作功率必須大于所需功率的十倍，而RGB量子點是實現全彩色顯示和解決LCD系統低光利用效率問題的一個很好的備選方案。量子點具有高的量子產率、尺寸依賴的發射波長和窄的發射半峰等特性。本研究報告了一種全彩色LED顯示屏，它采用紫外量子點技術通過氣溶膠噴射印刷技術將紫外微LED陣列與282英寸每英寸（PPI）的全彩色顯示器相結合。

 

　　復旦大學的副教授田朋飛則帶來了“基于微LED與鈣鈦礦量子點結合的高帶寬白光通信系統”報告。他表示，可見光通信是一種先進的無線通信技術，它可以將固態照明和光通信結合在一起。由大尺寸的藍光LED和黃色熒光粉組成的白光LED是常用的固態照明光源，但是黃色熒光粉的調制帶寬很低，限制了白光LED的最高數據通信速率，因而需要發展新型高帶寬白光LED。他介紹了一種新型高帶寬白光系統，使用藍光氮化鎵基霯ED來激發具有黃色發光光譜的鈣鈦礦量子點CsPbBr1.8I1.2來實現高速實時可見光通信。

 

　　近年來，有機發光二極管（OLED）已經吸引了相當的關注，由于有源矩陣OLED顯示器（AMOLED）成功引入到移動電話和OLED電視。鑒于其卓越的顯示質量（色域、對比度、響應時間等）和獨特的外形特征（薄而輕，靈活，和保形能力），OLED已經成為當前和未來的顯示應用優質的選擇，從移動顯示器、電視、可穿戴設備、汽車展示、虛擬現實/增強現實（VR / AR），等。

 

　　維信諾OLED顯示器先鋒立足中國，一直專注于OLED技術的發展和大規模生產OLED產品。維信諾高級技術研究院高級技術人員陳建平分享了“AMOLED顯示屏：技術現狀及應用”主題報告。他表示，2015年我們已經開始有批量生產的玻璃為基礎的剛性AMOLED面板。最近，我們已經取得了相當的技術進步為基礎的柔性基板AMOLED， G6代柔性AMOLED面板線2018年也將投產。

 

　　蘇州大學功能納米與軟物質研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

 

　　德國 ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應變控制和優異發射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報告。他表示，精準的應變控制對硅基鎵氮的晶圓，能夠通過結合形成中間層來獲得，能夠讓我們有精確的應變控制，之前產業是沒有想象過的，能夠讓我們實現剛剛說的五大特點。問題是什么？  副作用是什么？我們看沒有幅面的作用，對于我們生產來說是完全可以實現的。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）