2017年11月1日-3日，SSL國(guó)際系列論壇在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)--第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇將北京·順義·首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店隆重舉行。本屆論壇（SSLCHINA 2017）將以全新形式和主題亮相北京，并與國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2017）同期舉行。論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦。中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，并得到了科技部、發(fā)改委、國(guó)標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　作為論壇的重要組成部分，新型顯示與照明技術(shù)分會(huì)，由東旭光電科技股份有限公司、湖州明朔光電科技有限公司支持協(xié)辦，針對(duì)當(dāng)前顯示與照明領(lǐng)域的熱點(diǎn)和前沿問(wèn)題，匯聚來(lái)自顯示、照明等不同領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)外同行專家，權(quán)威解讀顯示、照明的發(fā)展脈動(dòng)。分會(huì)由蘇州大學(xué)教授廖良生和北京交通大學(xué)教授徐征共同坐鎮(zhèn)主持。

 

　　會(huì)上，來(lái)自瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN分享了“GaN光電器件CVD石墨烯透明電極應(yīng)用”報(bào)告。他表示，石墨烯是傳統(tǒng)的石墨剝離制備方法，制備大面積單層石墨烯具有挑戰(zhàn)性。最近開發(fā)了用于過(guò)渡金屬的石墨烯化學(xué)氣相沉積（CVD）方法。提出了一種新的非催化化學(xué)氣相沉積（相對(duì)于催化石墨烯CVD金屬）機(jī)制來(lái)解釋我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。隨著CVD石墨烯轉(zhuǎn)移過(guò)程相關(guān)聯(lián)的復(fù)雜。對(duì)直接生長(zhǎng)法的一些初步結(jié)果，13表明其在GaN光電子的實(shí)際工業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

 

　　石墨烯是自2010年得到諾貝爾獎(jiǎng)以后得到了各個(gè)熱點(diǎn)的研究，在許多領(lǐng)域有了一個(gè)突出的應(yīng)用，比如說(shuō)顯示、生物醫(yī)藥等等；有人說(shuō)石墨烯是主導(dǎo)未來(lái)高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略性新型材料。另外一個(gè)是第三代半導(dǎo)體，是目前自主可控、可持續(xù)發(fā)展的信息化社會(huì)的材料基石，節(jié)能減排效果明顯，快速培養(yǎng)新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)，促進(jìn)重大基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，應(yīng)用于雷達(dá)、光電探測(cè)預(yù)警系統(tǒng)，對(duì)國(guó)家信息安全、國(guó)防建設(shè)意義重大，在未來(lái)有非常大的需求規(guī)模。

 

　　中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報(bào)告；他介紹說(shuō)，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實(shí)現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們?cè)谑┥蟻?lái)進(jìn)行一個(gè)類似納米柱上的生長(zhǎng)，做了一些研究，通過(guò)調(diào)整晶核生長(zhǎng)得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長(zhǎng)出來(lái)一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因?yàn)槭┦菃渭兊牟牧希┥L(zhǎng)會(huì)受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會(huì)有一定的紊亂，加氮受到襯底的影響是很大。在非晶襯底上發(fā)現(xiàn)納米的生長(zhǎng)，我們進(jìn)一步成膜增長(zhǎng)，結(jié)合起來(lái)晶體是比較差。在藍(lán)寶石襯底上做了一個(gè)成膜生長(zhǎng)，在藍(lán)寶石上分別是500和2000多，我們現(xiàn)在的數(shù)據(jù)可以做到100多。多層石墨烯的實(shí)驗(yàn)，會(huì)影響趨向一致性，層數(shù)越多影響越明顯，這是在硅上的一個(gè)石墨烯的生長(zhǎng)，在硅上能看出來(lái)趨向一致性明顯變差。

 

　　耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過(guò)4～5對(duì)的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSEL。

 

　　中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示，對(duì)GaN基藍(lán)色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過(guò)去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍(lán)光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長(zhǎng)GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過(guò)工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為100毫瓦。

 

　　中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報(bào)告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場(chǎng)景是照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過(guò)對(duì)光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時(shí)對(duì)照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行了分類分析。

 

　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時(shí)也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢(shì)，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價(jià)怎么降低成本，耐用性，如果采用嵌入式等形式，涉及多結(jié)構(gòu)還有其他的技術(shù)，如果到處有這樣的終端，可能會(huì)產(chǎn)生對(duì)內(nèi)容服務(wù)的需求，外延上面最初步的可能是簡(jiǎn)單集成工具，把燈具和顯示器簡(jiǎn)單的結(jié)合在一起，如果真正的實(shí)現(xiàn)單位式的融合，比如我們做成窗戶，做成繪畫和藝術(shù)品，做基本的做成墻。顯示和照明是生活中LED應(yīng)用的主要方向，有可能存在兩者融合發(fā)展的需求，這個(gè)需要我們?cè)诠馍锓矫婧透咝实钠骷矫孀龈嗟墓ぷ鳌?/div>