2017年11月1日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦的第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。
會期兩天半，同期二十余場次會議。2日上午，由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所和專用集成電路重點實驗室共同協(xié)辦的“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會上，來自北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報告
陶明目前在北京大學(xué)（中國北京）信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院攻讀微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士，主要從事硅基GaN功率器件的研究。
本次報告，她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。
她表示，柵漏間距15μm的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT在柵電壓8V下的最大飽和電流密度為396mA/mm，器件的開關(guān)比大于109，亞閾值擺幅為80mv/dec。柵壓10V下的柵漏電低于10-7 mA/mm。15μm柵漏間距器件的關(guān)態(tài)擊穿電壓為1532 V，比導(dǎo)通電阻為2.48 mΩ.cm2，對應(yīng)的Baliga優(yōu)值因子為945 MW/cm2。器件的動態(tài)導(dǎo)通電阻在10ms脈寬（100μs周期）、400V關(guān)態(tài)漏極電應(yīng)力下僅僅是靜態(tài)導(dǎo)通電阻的1.6倍。
該增強(qiáng)型器件的優(yōu)異性能主要得益于材料結(jié)構(gòu)設(shè)計以及高質(zhì)量LPCVD Si3N4鈍化在內(nèi)的先進(jìn)工藝流程。（根據(jù)現(xiàn)場速記整理，如有出入敬請諒解！）
