2017年11月1日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。
會期兩天半，同期二十余場次會議。2日上午，由中國電子科技集團第十三研究所和專用集成電路重點實驗室共同協辦的“氮化鎵功率電子器件”技術分會上，來自北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告
陶明目前在北京大學（中國北京）信息科學與技術學院攻讀微電子學與固體電子學博士，主要從事硅基GaN功率器件的研究。
本次報告，她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術，在優化的HEMT結構上實現了高性能的增強型GaN MOSHEMT。
她表示，柵漏間距15μm的增強型GaN MOSHEMT在柵電壓8V下的最大飽和電流密度為396mA/mm，器件的開關比大于109，亞閾值擺幅為80mv/dec。柵壓10V下的柵漏電低于10-7 mA/mm。15μm柵漏間距器件的關態擊穿電壓為1532 V，比導通電阻為2.48 mΩ.cm2，對應的Baliga優值因子為945 MW/cm2。器件的動態導通電阻在10ms脈寬（100μs周期）、400V關態漏極電應力下僅僅是靜態導通電阻的1.6倍。
該增強型器件的優異性能主要得益于材料結構設計以及高質量LPCVD Si3N4鈍化在內的先進工藝流程。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）
