一代材料，一代器件，一代裝備，一代應用。第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物，具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

　　為助力中國第三代半導體行業發展提質增效，更好地整合國內外第三代半導體行業的優勢資源，實現中國半導體行業迅速崛起。2017年11月1日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。會期兩天半，同期二十余場次會議。2日上午，舉行的“碳化硅材料與器件分會”上，來自國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用主題報告。

　　他表示，所有的技術都有一個發展過程，尤其對于電網來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。其中對電網整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網的預期是整體上革命性的變化。

 

　　對電網應用的器件來說，首先的話是新能源發電這一部分，各種分布式接入、以及輸送，以及到最后配電、變電以及到最后的應用部分，所有這一塊碳化硅進入之后，都將改變現在的輸電系統的裝備以及一定系統的布局。如果碳化硅進入之后，現在的電網將會從剛性電網變成柔性的半導體電網，這樣的話電網才能真正地實現智能電網，實現靈活可控。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）