11月9日，英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線正式通線投產。該技術突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰，達到全球領先水平。它對解決我國半導體產業的技術瓶頸，帶動上下游產業發展，助力我國半導體產業和先進制造業的崛起具有重要的促進作用。副市長閻武出席了投產儀式。
德國科學院院士Eicke R.Weber教授致辭時表示，公司將帶動中國半導體產業領先國際
英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡稱“英諾賽科公司”）是2015年12月由美國英諾賽科集團與珠海市高新創投等共同發起成立的半導體企業，一期項目坐落于珠海市高新區，共投資10.9億元人民幣，將以雄厚的技術實力打造一個集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試為一體的世界領先的寬禁帶半導體企業。
英諾賽科公司已經擁有世界領先的8英寸硅基氮化鎵外延技術，突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰。經過兩年的努力，公司已建成中國首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產生產線，主要產品包括100V-650V氮化鎵功率器件，設計及性能均達到國際最先進水平，具有擊穿電壓高、導通電阻低、開關速度快、零反向恢復電荷及無電流崩塌等特點。將廣泛應用于電力電子、新能源、電動汽車、信息與通信和智能工業等領域。
出席儀式的中國半導體行業協會執行副理事長兼秘書長徐小田、歐洲微電子所（IMEC）副總裁Rudi Cartuyvels、德國愛思強（Aixtron）公司總裁Dr. Felix J. Grawert等眾多國際行業領袖對英諾賽科公司取得的突破表示高度贊賞。
英諾賽科公司董事長駱薇薇博士和公司創始人德國科學院院士Eicke R.Weber教授表示，將發揮技術領先優勢，將公司打造成世界級半導體企業，助推中國創新發展。
在當天下午舉行的現場研討會上，多名業內知名專家就氮化鎵技術發展、應用驗證、市場拓展和公司運營等進行了戰略研討，一致認為：氮化鎵產業已經到了爆發前夜，公司率先在8英寸硅基氮化鎵晶圓產業化上取得重大突破，先機已備，為今后的成功奠定了良好基礎，必將為中國在半導體領域實現“換道超車”做出貢獻。
