產業發展形勢變化飛速，產業、技術進展如何，又將走向何方？在近期由北京市順義區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）和國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇閉幕式上，南昌大學副校長江風益帶來了最新的高光效黃光LED技術進展分享，備受關注。
待發展的高效黃光LED技術
紅光LED發明之后，經過半個世紀的發展，從紅光到藍光，多種顏色的可見光LED均已經實現了產業化，它們之間的組合帶來五彩繽紛的新世界新視覺。不同顏色LED的光轉換效率發展不平衡，效率高低不同。其中，藍光LED、紅光LED、綠光LED的效率還不錯，但黃光LED的效率不高，因此，照明用LED大部分是藍光激發熒光粉的方式。
實際上，如果黃光LED的效率夠高，熒光粉環節可以省掉。無論是以GaP還是以GaN為基礎的黃光LED的效率都不高，從整個可見光范圍，有一種光的顏色效率太低不能不說是一個遺憾，也應該發展該技術。
LED照明為節能減排做出了重要貢獻。從發展的角度，當前LED照明主要是藍光LED激發熒光粉的方式，離不開熒光粉，還不是百分百LED照明，既存在電子發光還存在光致發光，如果實現全部為電子發光，就是百分百的LED照明。
藍光LED加熒光粉的方式，具有效率等有點，但也存在藍光含量多少的控制、顯色指數與效率兼顧等問題。如果用多種顏色LED來實現白光，可以減少藍光激發熒光粉過程中的能量損失，從本質上來看，不用熒光粉做照明效率是最高的。多基色LED合成白光LED是全光譜式概念，國內已經有相關的項目立項，也取得了很好的進展。從黃光LED的發展歷史來看，國內外的研究都在進行，經過50多年的發展，黃光從無到有，再到效率不斷提升，不同時期用的是不同材料，不同襯底，器件結構也不一樣。國內相關也有不錯的進展。
南昌大學InGaN 黃光 LED研究進展
高效黃光LED技術進展
目前，南昌大學研究小組研發的InGaN基硅襯底黃光LED，在20A/cm2電流密度下，插座效率達到21.7%，流明效率為130lm/W。效率峰值為30%，180lm/W。自主設計制造的專用MOCVD和硅襯底張應力特性被歸于提升黃光LED效率的重要因素。InGaN材料在黃光波段的表現已經超過AlGaInP。基于硅襯底黃光LED，實現了121lm/W，顯指97.5，色溫2941K的多基色無熒光粉暖白光LED以及138lm/W，顯指92.9，色溫4856K的多基色無熒光粉冷白光LED。
江風益表示，無熒光粉固態照明技術將為半導體照明產業注入新的活力，期望在智能照明、可見光通訊等領域發揮重要作用。黃光的突破拉開了沒有熒光粉LED照明技術的序幕產業的序幕，今后的發展隨著黃光效率的進一步提升，應用范圍會越來越廣。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
