半導(dǎo)體事業(yè)部SiC器件產(chǎn)業(yè)建設(shè)團(tuán)隊(duì)在時(shí)間緊、任務(wù)重、無成熟經(jīng)驗(yàn)可借鑒的情況下，攻堅(jiān)克難，通過縝密繁雜的各方協(xié)調(diào)、積極推進(jìn)，先后安全完成工藝、檢測(cè)、測(cè)試設(shè)備搬入、調(diào)試，SiC線的特殊廠務(wù)系統(tǒng)調(diào)試等一系列高難度、高危險(xiǎn)的任務(wù)，為SiC工藝設(shè)備提供源源不斷、穩(wěn)定可靠的“糧食”供應(yīng)。12月份，在各方共同努力下完成了最后一項(xiàng)工藝能力調(diào)試。目前，該芯片線廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測(cè)試條件都已完備，具備SiC產(chǎn)品生產(chǎn)條件，可同時(shí)開展高溫離子注入工藝、柵極氧化氮化工藝等SiC 器件特有工藝的生產(chǎn)線之一。該芯片線可以實(shí)現(xiàn)4寸及6寸SiC SBD、PiN、mosFET等器件的研發(fā)與制造。

 

　　SiC芯片線的工藝調(diào)試按時(shí)完成，助力公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搶占市場(chǎng)先機(jī)，布局前沿技術(shù)領(lǐng)域，標(biāo)志著我國(guó)SiC芯片產(chǎn)品的研發(fā)和制造能力獲得了跨越式的發(fā)展，也使得國(guó)產(chǎn)SiC芯片在國(guó)際上的競(jìng)爭(zhēng)力得到大幅度提升。

 

　　時(shí)代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部SiC芯片線已于12月份完成全部工藝能力調(diào)試。該芯片線是國(guó)內(nèi)首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線，總建設(shè)投資3.5億人民幣，是公司的重點(diǎn)投資項(xiàng)目，同時(shí)也獲得了國(guó)家“02”專項(xiàng)、國(guó)家發(fā)改委新材料專項(xiàng)等國(guó)家重點(diǎn)項(xiàng)目支持。

 

　　半導(dǎo)體事業(yè)部SiC器件產(chǎn)業(yè)建設(shè)團(tuán)隊(duì)在時(shí)間緊、任務(wù)重、無成熟經(jīng)驗(yàn)可借鑒的情況下，攻堅(jiān)克難，通過縝密繁雜的各方協(xié)調(diào)、積極推進(jìn)，先后安全完成工藝、檢測(cè)、測(cè)試設(shè)備搬入、調(diào)試，SiC線的特殊廠務(wù)系統(tǒng)調(diào)試等一系列高難度、高危險(xiǎn)的任務(wù)，為SiC工藝設(shè)備提供源源不斷、穩(wěn)定可靠的“糧食”供應(yīng)。12月份，在各方共同努力下完成了最后一項(xiàng)工藝能力調(diào)試。目前，該芯片線廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測(cè)試條件都已完備，具備SiC產(chǎn)品生產(chǎn)條件，可同時(shí)開展高溫離子注入工藝、柵極氧化氮化工藝等SiC 器件特有工藝的生產(chǎn)線之一。該芯片線可以實(shí)現(xiàn)4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發(fā)與制造。

 

　　SiC芯片線的工藝調(diào)試按時(shí)完成，助力公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搶占市場(chǎng)先機(jī)，布局前沿技術(shù)領(lǐng)域，標(biāo)志著我國(guó)SiC芯片產(chǎn)品的研發(fā)和制造能力獲得了跨越式的發(fā)展，也使得國(guó)產(chǎn)SiC芯片在國(guó)際上的競(jìng)爭(zhēng)力得到大幅度提升。