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108億元!華燦光電擬在義烏投建先進半導體與器件項目

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-02-22 來源:中國半導體照明網綜合瀏覽次數:1279
   華燦光電22日早間公告,2018年2月21日公司與義烏信息光電高新技術產業(yè)園區(qū)管理委員會達成一致意見,就在義烏信息光電高新技術產業(yè)園區(qū)投資建設先進半導體與器件項目簽署《華燦光電先進半導體與器件項目投資框架協議》并由義烏市人民政府作為見證方。
 
  據公告,華燦光電該項目包括以下內容:①LED外延及芯片;②藍寶石襯底;③紫外LED;④紅外LED;⑤microLED;⑥MEMS傳感器;⑦垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)⑧氮化鎵(GaN)基激光器;⑨氮化鎵(GaN)基電力電子器件等先進半導體與器件項目。項目計劃總投資人民幣108億元。
 
  公告稱,本協議的簽署,符合公司的戰(zhàn)略發(fā)展需要,有利于提升未來發(fā)展空間, 為公司未來的發(fā)展注入動力。本項目如順利實施將有助于公司的業(yè)務拓展,為公司持續(xù)發(fā)展提供支持和保障,通過積累項目的建設和運營經驗,提升公司的核心競爭力和行業(yè)影響力。本協議的簽訂對公司2018年度的營業(yè)收入、凈利潤等生產經營不構成重大影響,對公司長期收益的影響具有不確定性。
 
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