近年來，隨著各種半導體發光材料和器件的不斷發展，新型顯示技術與照明技術的結合更加緊密，為未來顯示與照明技術的交叉和多元化應用奠定了基礎。從器件角度看，新型顯示與照明技術所對應的發光器件包括：Micro-LED、有機發光二極管（OLEDs）、量子點發光二極管（QLEDs）、半導體激光器、鈣鈦礦發光二極管（PerLEDs），以及其他新型半導體發光器件。其中，Micro-LED近年來發展尤為迅速，未來發展可期。

 

　　2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心盛大召開。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會聚集了國內外知名專家和企業代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術前沿進展。

　　本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

 

　　“Micro-LED與其他新型顯示技術分會”作為論壇重要分會之一，今年繼續設定為“主題日”活動。分會得到了愛思強、德豪潤達、國星光電、晶科電子的支持協辦。會上，來自加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現Micro-LED》研究報告。

　　他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現有的基于有機光發射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

 

　　集成這些不同材料系統和器件的有希望的方法是通過優化晶體管和光發射器件，然后采用層轉移技術將集成器件組合到柔性平臺上。采用單掩模蝕刻工藝在藍寶石襯底上制備了InGaN基微發光二極管，在4mm×4mm面積上形成8×8陣列的微發光二極管。單個微發光二極管的尺寸為150μm×150μm，其導通電壓為2.5 V，驅動電流為5μA。采用激光剝離和低溫鍵合工藝將微LED陣列轉移到聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）襯底上。

 

　　在將微型LED集成到PET上之后，在170℃下制備了反相交錯氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜晶體管(TFT)。C與微LED相鄰，在PET襯底上形成像素電路，以產生分辨率為50 ppi的陣列。與傳統的發射顯示像素電路相比，這種配置潛在地提供更高的動態范圍和降低的數據電壓。使用20V的電源電壓和4V至16V之間的數據電壓使每個微LED像素的最大90μA驅動電流刷新率為60Hz。通過這種設計，在陣列內對單個像素進行尋址，證明了組合不同的薄膜技術以創建用于柔性顯示應用的新型柔性電路的可行性。為了驗證柔性微LED陣列的可靠性，并介紹了在各種彎曲環境下的性能參數。【根據會議資料整理，如有出入敬請諒解！】