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乾照光電擬投近16億元 建VCSEL、高端LED芯片等項(xiàng)目

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-11-08 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)綜合瀏覽次數(shù):568
 11月7日,乾照光電發(fā)布公告稱,為充分發(fā)揮公司已有的技術(shù)優(yōu)勢、設(shè)備優(yōu)勢、工藝優(yōu)勢,提升產(chǎn)品結(jié)構(gòu),加快實(shí)現(xiàn)科技成果的轉(zhuǎn)化,公司擬出資159,670.49萬元建設(shè)VCSEL、高端LED芯片等半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目。
 
其中銀行貸款85,096.20萬元,其余由公司以其他方式自籌出資,該項(xiàng)目由公司全資子公司廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱“乾照半導(dǎo)體”)負(fù)責(zé)承辦。
 
公告顯示,項(xiàng)目安排在2018年啟動,2019年上半年開工建設(shè),建設(shè)期預(yù)計(jì)22個月,2021年建成投產(chǎn),2022年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)運(yùn)行。本項(xiàng)目投產(chǎn)后,預(yù)測達(dá)產(chǎn)后年銷售收入96,628.29萬元,達(dá)產(chǎn)年利潤總額23,690.91萬元,達(dá)產(chǎn)年投資利潤率17.71%,投資利稅率18.63%,全部投資所得稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為21.72%;投資回收期6.01年。
 
砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體器件主要依附于MOCVD進(jìn)行外延生產(chǎn),技術(shù)含量高;在軍用和民用無線通訊等領(lǐng)域需求旺盛,而相關(guān)國內(nèi)廠商稀缺,國家正大力支持該行業(yè)的迅速發(fā)展。乾照光電憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領(lǐng)域多年研發(fā)和生產(chǎn)的積累,通過本項(xiàng)目的建設(shè),將有助于乾照光電在其他市場領(lǐng)域的突破,對公司的戰(zhàn)略發(fā)展具有重要意義。
 
此外,本項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,有利于推動高端可見光半導(dǎo)體LED芯片的國產(chǎn)化進(jìn)程,降低終端應(yīng)用產(chǎn)品的生產(chǎn)成本,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展,完善我國自主的LED產(chǎn)業(yè)鏈,提升我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際競爭力。
 
本項(xiàng)目的實(shí)施,可以對地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展有明顯的推動作用。同時,該項(xiàng)目的建設(shè)對廈門打造半導(dǎo)體高端產(chǎn)業(yè)集群計(jì)劃的實(shí)施具有重要意義。
 
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關(guān)鍵詞: 乾照光電 VCSEL 高端 LED芯片
 
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