11月7日，乾照光電發布公告稱，為充分發揮公司已有的技術優勢、設備優勢、工藝優勢，提升產品結構，加快實現科技成果的轉化，公司擬出資159,670.49萬元建設VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目。
其中銀行貸款85，096．20萬元，其余由公司以其他方式自籌出資，該項目由公司全資子公司廈門乾照半導體科技有限公司（以下簡稱“乾照半導體”）負責承辦。
公告顯示，項目安排在2018年啟動，2019年上半年開工建設，建設期預計22個月，2021年建成投產，2022年實現滿產運行。本項目投產后，預測達產后年銷售收入96,628.29萬元，達產年利潤總額23,690.91萬元，達產年投資利潤率17.71％，投資利稅率18.63％，全部投資所得稅后財務內部收益率為21.72％；投資回收期6.01年。
砷化鎵／氮化鎵半導體器件主要依附于MOCVD進行外延生產，技術含量高；在軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛，而相關國內廠商稀缺，國家正大力支持該行業的迅速發展。乾照光電憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發和生產的積累，通過本項目的建設，將有助于乾照光電在其他市場領域的突破，對公司的戰略發展具有重要意義。
此外，本項目建成達產后，有利于推動高端可見光半導體LED芯片的國產化進程，降低終端應用產品的生產成本，促進產業健康發展，完善我國自主的LED產業鏈，提升我國半導體產業的國際競爭力。
本項目的實施，可以對地區的半導體發展有明顯的推動作用。同時，該項目的建設對廈門打造半導體高端產業集群計劃的實施具有重要意義。
