以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。
 

11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

 

11月26日上午，“超寬禁帶半導體技術” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
 

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，中國科學技術大學微電子學院執行院長龍世兵，西安電子科技大學教授張金風，瑞士Microdiamant研發部門負責人Christian JENTGENS，鄭州大學教授、日本名古屋大學客座教授劉玉懷，西安交通大學副教授李強，北京大學劉放等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。

會上，日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為“超寬禁帶氧化半導體的生長和特性”的主題報告，報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調整我們可以調整(InGa)2O3或(AlGa)2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的特性。

深紫外線檢測技術具有重要的應用，例如紫外線成像，紫外線/紅外線雙重引導，預警系統，紫外線通訊，紫外線干擾等。中國科學技術大學趙曉龍做了題為“ Ga2O3半導體器件-深紫外光電探測器”的主題報告，介紹了Ga2O3材料和DUV光電探測器、各種用于光檢測的半導體、適用于UVPD的寬帶隙Ga2O3半導體等現狀，大規模Ga2O3襯底的方法以及Ga2O3外延層生長的各種方法。
 

 

西安電子科技大學教授張金風做了“金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展”的主題報告，結合具體的研究進展，分享了單晶金剛石的生長與表征，金剛石設備的制造和表征等研究內容。

 

瑞士Microdiamant研發部門負責人Christian JENTGENS做了分享了多晶金剛石微納米粉在碳化硅晶圓加工中的應用及其關鍵工藝技術。介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產品品質優劣以及關鍵的流程步驟等內容。

 

鄭州大學教授, 日本名古屋大學客座教授劉玉懷帶來了題為“氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究”的主題報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。

 

西安交通大學副教授李強做了題為“六方氮化硼薄膜的磁控濺射制備及光電特性”的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內容。

 

北京大學劉放帶來了題為“高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用”的主題報告，分享了在Al₂O₃（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。
 

    （內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）