11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月27日上午，“微波射頻與5G移動通信” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。 

臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經(jīng)理Peter BR?CKNER、中興無線技術總工及技術委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯(lián)萬眾科技有限公司副總經(jīng)理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、中國電子科技集團第41研究所張光山、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。

會上，南京電子器件研究所高級工程師張凱分享了一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管，張凱專注于探索創(chuàng)造新穎的、先進的GaN器件，包括高線性GaN器件、太赫茲GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前為止，典型成果包括國際第一個具有優(yōu)異功率性能的GaN FinFET器件，國內(nèi)截止頻率最高的SiC襯底上GaN器件、國際整體性能最優(yōu)的Si基GaN高頻器件（以上結(jié)論依據(jù)源于已發(fā)表文章、會議等），成果曾經(jīng)兩次被Semiconductor Today雜志專題報道。

報告中，創(chuàng)新提出一種增強式緩變溝道的GaN HEMTs器件，器件展現(xiàn)了相當優(yōu)異的開態(tài)以及關態(tài)特性，同時顯著減緩跨導的下降，（0.15µm器件截止頻率fT/fmax達~85/250 GHz），出色的綜合性能使得本成果在5G毫米波通信等方面具有巨大的應用潛力。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）