11月27日上午，“固態紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦。
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次分會。
為了使基于AlGaN材料的深紫外LED能夠更廣泛地應用于固化、水和空氣的凈化及醫療消毒等各方面，必須要大幅地降低其成本。提高深紫外LED的性能和增大單爐產能是實現更低成本的兩個關鍵因素。與電光轉化效率超過70%的基于InGaN材料的藍白光LED相比，深紫外LED，尤其是UVC LED的效率還有很大的差距。
中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正分享了基于中微Prismo HiT3TM MOCVD設備的深紫外LED結構優化。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件設計、性能及可靠性分析。2012年加入中微半導體設備有限公司，主要參與進行了中微第一代、第二代藍綠光以及深紫外MOCVD的設計、工藝開發及客戶技術支持。在國際主要學術期刊及會議發表十多篇論文。
他表示，中微設計的Prismo HiT3TM MOCVD平臺能夠單爐生長高達18片2英寸或者4片4英寸UVC LED，并且具有較長的維護周期。報告分享了在Prismo HiT3TM上采用納米圖形襯底(NPSS)進行基于AlGaN材料的UVC LED的生長和結構優化方面的成果。
兩種不同類型的NPSS被用來進行生長AlN/AlGaN材料的生長。首先，在NPSS上通過磁控濺射沉積了AlN作為成核層，然后進行AlN的外延生長。通過對外延工藝進行優化，實現了高質量、無龜裂的AlN薄膜。當把NPSS的圖形從圓臺型優化為圓孔型時，外延生長得到的AlN薄膜晶體質量得到大幅提升。如圖1所示，X射線（002）面和（102）面的搖擺曲線的半寬從198 arcsec和360 arcsec分別降低到130 arcsec和236 arcsec。在進行n型AlGaN的外延生長時，AlN/AlGaN超晶格被用作AlN和n型AlGaN之間的過渡層。在n型AlGaN摻雜濃度為-1.3x1019cm-3時，實現了電阻率和遷移率分別為0.009 ohm⋅cm和43 cm2/Vs。
通過采用調制摻雜技術，p型Al0.68Ga0.32N得到的空穴濃度和遷移率分別為7.6x1017 cm-3和3.6 cm2/Vs。對于UVC LED全結構，采用模擬與實驗相結合的方法研究了MQW阱寬、摻雜濃度及V/III比等不同的生長參數的影響。制備了發光波長低于280nm的UVC LED芯片。在40mA注入電流下，芯片COW亮度>1 mW（芯片尺寸1020, 波長279nm），預期封裝之后功率>3mW。更多的結果將在會上進行報告。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
