11月27日上午，“固態紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦。
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次分會。
對于大多數固態照明技術，尤其是對于深紫外發光二極管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意義。臺灣交通大學特聘教授郭浩中做了題為“新型深紫外LED封裝發光技術提升”的報告，
郭浩中教授在III-V光學設備/材料（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵）有超過20年的研究經驗。他是2015年美國電子電氣工程師協會(IEEE)會士，2012年美國光學學會(OSA)會士，2013年國際光學工程學會(SPIE)院士，2012年英國工程技術學會(IET)會士。
報告分析了不同封裝結構對LEE的影響，并提出了一種新型的帶有硅油和半球透鏡的DUV-LED液體封裝結構。通過這種設計，與常規封裝結構相比，DUV-LED輸出光的強度可以提高70.7%。此外，采用該液體封裝結構的DUV-LED熱阻可以降低30.3%。經過可靠性測試后，DUV-LED的200小時輸出光強度仍可保持98%以上。另外，對比倒裝結構和垂直結構的DUV-LED芯片在該液態封裝結構下的光學性能。然后，根據光學仿真結果，對這兩種芯片的腔體進行了優化設計。最終，采用新型封裝結構的薄膜型倒裝結構DUV-LED的外量子效率在300 mA時可達到10%。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
