11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

11月27日上午，“固態紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦。

第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次分會。

目前AlGaN材料的深紫外LED主要用于消毒殺菌。會上，挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN帶來了題為“采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED”的主題報告，介紹了石墨烯襯底AlGaN納米線外延生長技術。

2005年以來，Helge WEMAN教授在NTNU領導著一個科研小組研究用于光電應用程序的iii-v族半導體納米線和石墨烯。2012年六月，他參與創辦了Crayonano AS公司并任首席技術官兼董事。

他表示，石墨烯襯底AlGaN納米線外延生長技術比現有的薄膜技術更有優勢。由于現階段深紫外LED缺乏足夠好的透明電極、高位錯密度、大部分采用比較貴的AlN襯底和AlN緩沖層等原因，因此價格都很高，而且發光效率低。首個用于論證的采用倒裝結構的UV LED已經完成，其采用的是雙層石墨結構，其GaN/AlGaN的納米線采用MBE的技術進行生長，這種納米線具有很高的晶體質量，并沒有很明顯的缺陷和應力問題。目前其研究檢測的結果顯示這種LED的發射波峰在365nm并沒有相關的缺陷黃光。

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）