期間，“顯示工程應用” 分會如期召開。華燦光電股份有限公司副總裁李鵬做了題為《新一代顯示用LED芯片技術研究與展望》的報告。該報告指出Micro LED器件結構較LCD和OLED來說，更加輕薄靈活，直接將RGB LED單元直接集成到TFT玻璃基板上，除了目前造價過高之外，在響應速度、對比度、亮度、可視角度等等方面都具備絕對的優勢。
 

目前Mini RGB LED已經實現量產，Micro LED仍有待產業鏈上中下游的協同創新。到2025年，Micro LED市場規模將達到2.9B USD（HIS 數據）。

Micro LED核心技術包括：高度一致性的外延技術、微米級的芯片制造工藝、超高效的巨量轉移技術、全彩實現技術、TFT、驅動及背板設計、高效的壞點檢測修復技術。當前巨量轉移的技術路線包括：靜電吸附、電磁吸附、范德瓦爾斯力、流體裝配、激光燒灼，其對最終生產效率有至關重要的作用。
 

在外延芯片環節，量產面臨的三大難點是：外延高度一致性、壞點減少及控制技術、增大襯底外延尺寸以提高有效面積。
 

華燦芯片產品涵蓋垂直結構及倒裝芯片，現有設備可以實現10微米芯片的表面加工工藝。現有紅光Micro LED EQE可以達到13%。10-30 um的Micro LED已有Testing Demo。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）