隨著汽車電動化、無人駕駛和5G高速網絡應用市場的快速發展，對功率半導體器件、激光光源和光探測器件的需求也在日益增長。碳化硅/氮化鎵并稱第三代半導體雙雄，憑借其熱導率高、電子飽和速度高、擊穿電壓高、介電常數低等特點，能更好地適應高頻、大功率、耐高溫、抗輻照等嚴苛的使用環境。但目前因為材料制備難度大、成本高使得第三代半導體還處在爆發式增長的前期。

 

　　三安集成是化合物半導體研發、制造和服務專業平臺，通過產業鏈垂直整合，掌握化合物半導體發展的關鍵點：設計、材料、制程和檢測。從襯底制造，到大規模的碳化硅/氮化鎵/砷化鎵外延生長MOCVD機臺，先進的制程開發和量產能力，在線缺陷檢測和性能測試，封裝實驗室，以及全面的可靠性分析實驗室，都是實現大規模、高質量代工的有力保障；同時，為客戶提供真正的、高成本效益的 “一站式解決方案”。

 

　　第三代功率半導體：碳化硅肖特基二極管和氮化鎵E-HEMT代工業務

 

　　在功率半導體展示區展出的650V/1200V碳化硅肖特基勢壘二極管，采用混合PiN肖特基二極管（MPS）設計，能提供更好的可靠性和魯棒性。比肩業界領先水平的“低正向壓降”特性，大幅減少導通損耗，幫助實現系統級別的效率提升和功率密度提升，支持高壓DC/DC和多種PFC應用場景的穩定運行。同時，三安集成已進行了碳化“硅金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）”的工程樣品研制，預計于2020年第四季度，可為客戶推出工業級1200V DMOS器件。

 

　　650V氮化鎵增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）芯片制造的可靠性已全面符合JEDEC標準，采用常關型器件設計，具備低比導通電阻RON~350mΩ·mm和優良的品質因數RON·QG~300mΩ·nC。藉由PDK、E-Foundry和MPW服務，可讓客戶在量產前可充分驗證設計。三安集成為客戶提供從前期設計支持，到完善的后工序 -- 晶圓減薄、背面金屬以及切割和封測。現場展示了一款基于三安集成氮化鎵E-HEMT芯片的65W氮化鎵快充適配器設計驗證樣品，體現了三安集成成熟的代工能力。

 

　　光技術芯片：激光光源（Source Laser Diodes）和光探測（Photodiodes）器件

 

　　從1.25G、10G到25G，從850、940到1310，三安集成提供多種速率、多種波長的激光光源和光探測芯片代工服務，包括高功率VCSEL、高速率VCSEL、DFB、EEL，和光探測芯片MPD、APD、PD、SPD。

 

　　針對數據中心AOC、光模塊應用，三安集成提供基于成熟的砷化鎵技術平臺的高速25G VCSEL、DFB芯片組及陣列，并備有多波的CWDM綜合方案，搭配三安集成25G 850nm PD或1310nm PD芯片，為客戶提供全套的低功耗、極具成本效益的25G收發芯片組合。同時，在3D感測領域，三安集成更以技術專業、服務高效、產能充沛的VCSEL代工服務平臺服務廣大客戶。

 

　　三安集成把質量視為企業生命線，以客戶需求為中心，為客戶創造價值的同時守護客戶的知識產權。企業已通過ISO9001國際質量管理體系認證、IATF16949汽車行業質量管理體系認證以及ISO27001信息安全管理認證；身為JEDEC JC-70寬禁帶功率半導體標準委員會成員，積極投身國際行業標準制定。三安集成愿將其化合物代工大平臺保持開放，迎接多樣化的業務合作模式，和客戶一同“融合創新‘芯’引未來”。（來源：美通社）