三星電子近日宣布，發現了一種全新半導體材料 “無定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，簡稱 a-BN”。

三星高級技術學院SAIT的研究人員與蔚山國立科學技術學院UNIST和劍橋大學合作，發現了一種名為非晶態氮化硼(a-BN)的新材料，它可能成為新一代半導體的材料，加速下一代半導體的問世，這項研究已經在《自然》雜志上發表。

近年來，三星 SAIT一直在研究二維(2D)材料具有單原子層的晶體材料的研究和開發。具體而言，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發，并在該領域取得了突破性的研究成果，例如開發新的石墨烯晶體管以及生產大面積單晶晶片的新方法。石墨烯。除了研究和開發石墨烯外，SAIT還致力于加速材料的商業化。

“為了增強石墨烯與基于硅的半導體工藝的兼容性，應在低于 400°C 的溫度下在半導體襯底上進行晶圓級石墨烯生長。” SAIT的石墨烯項目負責人兼首席研究員 Shin Hyeon-Jin Shin 表示。“我們還在不斷努力，將石墨烯的應用范圍擴展到半導體以外的領域。”

新發現的材料稱為無定形氮化硼(a-BN)，由具有非晶分子結構的硼和氮原子組成。盡管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子，但實際上 a-BN 的分子結構使其與白色石墨烯具有獨特的區別。

無定形氮化硼具有 1.78 的同類最佳的超低介電常數，具有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾，還證明了該材料可以在僅 400°C 的低溫下以晶圓級生長。因此，預計無定形氮化硼將廣泛應用于諸如 DRAM 和 NAND 解決方案的半導體，尤其是在用于大型服務器的下一代存儲器解決方案中。

SAIT副總裁兼無機材料實驗室負責人Park Seongjun Park表示：“最近，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是，將材料應用于現有的半導體工藝仍然存在許多挑戰，我們將繼續開發新材料來引領半導體范式的轉變。”