中國科學院院士、南京大學鄭有炓教授，中國科學院院士、南昌大學副校長江風益教授，廈門大學校長張榮教授，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所楊輝研究員，中國科學院半導體研究所李晉閩研究員，北京大學沈波教授，中微半導體公司副總裁郭世平，西安電子科技大學微電子學院教授張進成，中國科學技術大學微電子學院執行院長龍世兵教授，中科院長春光機所黎大兵研究員，山東大學徐現剛教授，中山大學劉揚教授，南京大學教授陸海、南京大學電子科學與工程學院副院長劉斌教授，中國科學院半導體研究所王軍喜研究員等嘉賓出席了閉幕式。廈門大學康俊勇教授與廈門大學校長張榮教授共同主持閉幕式。

閉幕式的大會主題報告環節，北京大學沈波教授帶來了“Si上GaN大失配異質外延中的缺陷工程”的主題報告，分享了Si上GaN的國內外發展現狀及最新技術研究進展與成果。比如在以Si上GaN為代表的大失配異質外延技術中，“缺陷工程”即以缺陷制取缺陷的技術路線，具有很大潛力。發現了AI原子對GaN中位錯彎曲和應變弛豫有顯著抑制作用等。

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所楊輝做了“基于MOCVD生長的銻化物超晶格紅外探測器”的主題報告，從MOCVD生長銻化物超晶格探測器器件設計、材料生長、器件性能，以及現狀與挑戰等多角度，分享了最新的研究成果。

山東大學徐現剛教授分享了III-V族化合物半導體光電子材料與器件進展，包括GaAs基半導體激光器的關鍵技術與最新研究進展。其中基于GaAs襯底的6xx（635-690）、8xx(780-880)、9xx(905-1060)nm系列的半導體激光器芯片在市場需求牽引下向高功率發展迅速，已經突破影響激光器的壽命和可靠性問題，實現了從材料、芯片、模組全鏈條實用化。

隨后的主題對話環節，北京大學沈波教授主持下，西安電子科技大學微電子學院教授張進成、中科院長春光機所黎大兵研究員黎大兵、南京大學教授陸海、中微半導體公司副總裁郭世平、中國科學院半導體研究所研究員閆建昌、復旦大學副研究員田朋飛等學界、業界中青代骨干力量齊聚，圍繞著“面向短波長、長波長、微型化光電子器件，MOCVD設備與外延生長技術發展趨勢”與“寬禁帶半導體SiC、GaN基功率電子器件如何提升性價比？超寬禁帶半導體器件如何推進實用化？”兩大主題，臺上臺下展開探討，從不同的角度分享不同見解，觀點碰撞，氣氛熱烈，高潮迭起。

南京大學電子科學與工程學院副院長劉斌教授代表組委會介紹了本屆會議籌辦情況，本次會議得到了業界、學界廣泛的支持與積極參與，本屆會議為期兩天，包含開閉幕式兩場大會，四個主題分會。邀請報告38個，口頭報告62個，海報展示126個。根據注冊統計數據顯示參會代表超過500人，線上開閉幕式報告直播觀看人次超過5000+。

此外，閉幕式期間，中國科學院院士、南京大學鄭有炓教授與中國科學院院士、南昌大學副校長江風益教授共同為本次會議優秀海報獎獲得者頒發獎勵。

獲獎者名單如圖

2022年第十七屆全國MOCVD學術會議由中國有色金屬學會、國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，中國科學院半導體研究所、半導體照明聯合創新國家重點實驗室、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，將于山西召開。

中國科學院半導體研究所王軍喜研究員介紹了會議籌備情況，并向業界、學界的專家學者、青年學子們發出積極邀請。

【特別說明】

此次大會同時開通了開閉幕式精彩主題報告現場直播，更有圖片直播實時呈現，與業界共享精彩內容，更多詳細豐富內容可點擊以下鏈接觀看：

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