芯片結溫一直是制約半導體器件功能和壽命的重要因素，相關的熱管理技術與可靠性分析已經從單個產品朝整個系統的面向發展。在這一過程中新型散熱材料、熱管理技術、面向可靠性設計、故障數據與失效分析、制造過程中的控制及可靠性篩選、壽命加速老化測試方法、失效模式與仿真模擬等技術的進步等都影響整個系統的可靠性。

 

本屆論壇的“可靠性與熱管理技術”分會將從國內外，不同維度探討技術的最新進展與挑戰。天津工業大學電氣工程與自動化學院院長、教授趙麗霞與華中科技大學能源與動力工程學院院長，中歐清潔與可再生能源學院中方院長羅小兵共同擔任本屆分會主席，香港科技大學教授李世瑋、武漢大學教授劉勝、北京工業大學教授郭偉玲、桂林電子科技大學教授楊道國等精英專家們組成分會委員團，為分會提供強力支持。

 

會上，德國英戈爾施塔特應用技術大學教授Gordon ELGER、北京工業大學教授、光電子技術教育部重點實驗室副主任郭偉玲，江蘇博睿光電有限公司副總經理梁超，佛山市香港科技大學LED-FPD工程技術研究開發中心&港科技術(佛山)有限公司技術總監趙惠珊，天津工業大學電氣工程與自動化學院副教授于莉媛，中山大學電力電子及控制技術研究所所長、教授劉揚，復旦大學青年研究員樊嘉杰，電子科技大學劉成藝，桂林電子科技大學王浩潔等來自國內外高校、科研院所的精英專家們將聯袂帶來精彩報告，分享前沿研究成果。

 

本屆論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產學研用行業領袖齊聚，共商未來產業發展大計。

 

11月23-25日，深圳會展中心見！

 

 

（備注：日程會有小幅改動，請以會議現場為準！）

 

部分嘉賓


分會主席：趙麗霞  天津工業大學電氣工程與自動化學院院長、教授

 

長期從事寬禁帶GaN基半導體材料、器件及可靠性研究，特別是在晶圓級橫向多孔GaN半導體材料的可控制備、高帶寬 GaN 基光通信器件及可靠性和失效機理等方面取得了一系列有意義的成果。先后主持國家重點研發計劃、科技部國際合作及基金委項目14項，發表論文100余篇，授權發明專利21項。入選中國科學院第一屆“引進杰出技術人才”計劃，獲中國電子學會優秀科技工作者榮譽稱號。目前擔任全國微束分析標準化技術委員會表面化學分技術委員會委員，Chinese Physics Letters/Chinese Physics B/物理學報/物理期刊編委，天津市電工電能新技術重點實驗室學術委員會委員，天津市裝備制造與應用研究國際聯合研究中心負責人。

分會主席：羅小兵  華中科技大學能源與動力工程學院院長，教授

 

研究方向為LED封裝與應用、極端熱管理、微納尺度傳熱。科研項目涉及國家杰出青年基金，器件封裝中流動與傳熱；國家自然基金面上項目：大功率LED熒光粉涂覆的流動熱成型建模及實驗研究（13年批），大功率LED熒光粉光致發熱的理論與實驗研究（15年批）； 國家重點研發計劃課題，紫外LED封裝；教育部博士點基金，大功率LED封裝界面熱阻建模和工藝控制等。

 

先后獲得2016 IEEE CPMT Exceptional Technical Achievement Award（IEEE封裝協會杰出技術成就獎），2016年國家技術發明二等獎，2015湖北省自然科學一等獎，2015教育部技術發明一等獎。第一發明人授權美國專利3項，中國發明專利29項，出版英文專著和章節4個，出版中文專著1部，境外國際會議特邀報告12次。研制成功國際領先的微型水力懸浮泵并實現小量銷售。
 

 

 

 

主要研究微電子封裝制造技術。他的研究團隊專注于LED、應用于汽車的大功率電子包裝以及可靠性的測量和測試方法和質量保險的開發。特別的一個重點是瞬態熱測試和熱管理。Gordon Elger教授從德國柏林自由大學博士畢業，其后在不同的公司和研究機構包括荷蘭皇家飛利浦公司、Hymite GmbH和德國弗朗霍夫研究所工作，研究領域為光電子，MEMS，HF和LED封裝。

 

 

主要研究方向為半導體光電子器件,特別是LED和LD器件研制、可靠性分析和光電應用技術研究。作為骨干成員參加了包括國家自然科學基金、863、973、國家教委、北京市自然科學基金、北京市教委等20 余項課題的研究，負責項目4項;先后獲國家級、省市級獎勵4項; 在國內外發表論文60 余篇。

 

 

研究方向為半導體光電材料與器件與半導體照明應用系統。曾參加天津市高等學校科技發展基金計劃項目：高出光率的GaN基光子晶體LED的研制，主持了天津市教委濱海新區雙百科技特派員科技專項項目：室外LED照明的配光技術和方法的研究；國家科技部科技人員服務企業行動項目，智能型大功率LED節能照明產品研發；天津市科研院所技術開發工作扶持項目：LED輻射增亮的研究及應用等項目。

 

 

主要從事寬禁帶III族氮化物（GaN）功率半導體材料與器件研究，包括 GaN器件制備及材料物性研究 GaN功率半導體器件及物理器件制備 GaN功率器件穩定性、可靠性機理研究 GaN功率器件驅動及單片功率集成技術的研究 新型GaN電力電子器件在電源管理、光伏逆變、電機驅動等方向的系統集成技術研究。2001年在國際著名異質材料外延技術先端研發機構--日本名古屋工業大學從事氮化鎵(GaN)材料和器件研究工作，期間被聘為日本學術振興會(JSPS)外國人特別研究員。負責組建國內首家GaN功率電子材料與器件研發平臺，開展關鍵技術的研究，同時積極聯合國內龍頭企業，促進產學研結合，整合產業鏈條，推動大尺寸Si襯底GaN功率電子材料與器件產業技術的開發。先后承擔國家科技部、國家自然基金委、廣東省科技計劃項目多項。2014年末該研發平臺被廣東省科技廳認證為廣東省第三代半導體GaN電力電子材料與器件工程技術研發中心。