近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由北京康美特科技股份有限公司，有研稀土新材料股份有限公司，寧波升譜光電股份有限公司，廣東晶科電子股份有限公司共同協(xié)辦的“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)”分會上，中南大學(xué)特聘教授，微電子科學(xué)與工程系副主任汪煉成分享了同時具有較好照明顯色性和調(diào)制帶寬的單芯片無熒光粉白光LED的最新研究成果。
 

為了同時實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量照明和可見光通信（VLC），面向VLC照明的GaN基白光發(fā)光二極管（WLEDs）引起了人們的極大興趣。然而，傳統(tǒng)熒光粉轉(zhuǎn)換WLEDs的總帶寬受到熒光粉壽命長、stokes傳輸過程慢、電阻電容（RC）時延和量子限制斯塔克效應(yīng)（QCSE）的限制。

研究采用MOCVD生長自組裝InGaN量子點(diǎn)（QDs）結(jié)構(gòu)，制備了相關(guān)色溫（CCT，CCT=1600k～6000k）可調(diào)的寬帶光譜無熒光單芯片白光LEDs，芯片面積為254um*584um，在72 A/cm2的低電流密度下，色溫為6000k，顯色指數(shù)（CRI）為75，同時獲得150 MHz調(diào)制帶寬。與傳統(tǒng)的InGaN/GaN量子阱（QWs）結(jié)構(gòu)相比，InGaN量子點(diǎn)的寬帶譜白光和高調(diào)制帶寬歸因于不同InGaN量子點(diǎn)（QDs）局域態(tài)對載流子的捕獲以及量子限制斯塔克效應(yīng)（QCSE）的避免。該方法將在GaN-WLEDs中找到潛在的應(yīng)用，并推動半導(dǎo)體照明通信集成的發(fā)展。本工作材料為揚(yáng)州半導(dǎo)體照明公司李鴻漸博士和李盼盼提供，特別致謝。

半導(dǎo)體照明用LED器件發(fā)展相對成熟，但也還存在發(fā)光效率和色溫、顯色指數(shù)的兼顧等問題。而新型顯示、可見光通信、生物醫(yī)療以及AR/VR等對GaN基LED元器件本身性能提出了更多的要求。先進(jìn)GaN基LED元器件，不僅僅在于發(fā)光效率，其發(fā)光調(diào)制速度、發(fā)光光束、發(fā)光光譜、顯色性以及柔性制造及可靠性，系統(tǒng)集成等方面還有很大研發(fā)空間。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）