近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。期間，由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用論壇“上，俄羅斯STR軟件集團(tuán)付昊做了題為“Mini/Micro-LED 芯片設(shè)計的縮放和優(yōu)化”的主題報告，詳細(xì)分享了LED尺寸縮放、表面復(fù)合、用于提高光提取效率和控制發(fā)射模式的 μ-LED 芯片的成型，模擬最先進(jìn)的紅色 AlGaInP LED 以了解限制發(fā)射效率的主要因素等內(nèi)容。
報告指出，微型和微型LED技術(shù)的發(fā)展需要現(xiàn)在有效且工程上采用的仿真工具來優(yōu)化 μ-LED 結(jié)構(gòu)和芯片設(shè)計。只有耦合的電-熱-光3D建模才能充分模擬μ-LED中發(fā)生的復(fù)雜過程。表面復(fù)合是影響m-和μ-LED工作的最重要因素之一；實際上，它決定了 LED 尺寸縮放的主要趨勢，包括EQE行為和設(shè)備自熱。與III族氮化物相比，III族磷化物μ-LED中表面復(fù)合對發(fā)射效率的負(fù)面影響要強(qiáng)得多。由于成型的LED芯片而使用嵌入式微反射器是一種非常有前途的方法，可以增強(qiáng)μ-LED的光提取并控制其發(fā)射模式
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
