近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

 

期間，由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協辦支持的“Mini/Micro-LED技術“分會如期舉行。3D顯示是以三維立體形態呈現視覺圖像的技術，代表著顯示技術和產品發展前沿。中南大學教授汪煉成做了題為“3D顯示用單芯片垂直結構Micro LED器件研究”的主題報告。

 

3D顯示中雙圖象3D顯示實現的關鍵在于讓視差圖像分別進入視點左右眼。輔助3D包括偏振式、機械式。裸眼3D涉及柱透鏡、屏障式，指向背光3D顯示等。結合偏振式3D顯示、指向背光3D顯示、Micro-LED 3D顯示、Micro-LED發光偏振調控、Micro-LED指向及光束調控等的研究進展。報告從圓偏振Micro-LED、指向發光Micro-LED、諧振腔Micro-LED 等方面，具體介紹了3D顯示用Micro-LED技術的最新研究成果。

 

研究結果顯示，3D Micro-LED 顯示具有Micro-LED優勢和3D特征。垂直結構LED器件可為垂直結構和倒裝薄膜Micro-LED器件技術基礎。垂直結構Micro-LED器件是高PPI，3D顯示的重要選擇。 在3D顯示用單芯片Micro-LED，包括原位集成諧振腔+metasurface圓偏振Micro-LED，線偏振Micro-LED，指向發光Micro-LED，諧振腔Micro LED器件方面做了一些初步的工作。 諧振腔Micro-LED器件研制：尺寸30 μm，FWHM為15 nm，半角約為122°，器件開啟電壓為4.1 V (@100 μm) 。高階Micro-LED 顯示對像素器件更多需求和創新空間。

 

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）