近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

 

期間，由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、佛山市國(guó)星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED技術(shù)“分會(huì)如期舉行。會(huì)上，上海大學(xué)任開(kāi)琳做了題為“一種新型氮化鎵基Micro-LED及其驅(qū)動(dòng)HEMT的單片集成結(jié)構(gòu)”的主題報(bào)告。報(bào)告提出了一種新型的顯示器件及其驅(qū)動(dòng)器件的單片集成結(jié)構(gòu)。

在高電子遷移率晶體管（HEMT）的漏極下添加P-GaN帽層，在AlGaN/GaN之間插入一層或多層InGaN量子阱，以實(shí)現(xiàn)氮化鎵基Micro-LED及其驅(qū)動(dòng)HEMT的單片集成。由于這種結(jié)構(gòu)消除了金屬互連，降低了寄生電阻和電容，因此有潛力應(yīng)用于高速可見(jiàn)光通信的發(fā)射端。

 

研究通過(guò)TCAD仿真研究該結(jié)構(gòu)中輻射復(fù)合的分布，并比較了不同器件結(jié)構(gòu)下輻射復(fù)合率的二維積分，從而優(yōu)化了AlGaN勢(shì)壘層中Al含量、InGaN層中In含量和InGaN層厚度等器件結(jié)構(gòu)參數(shù)。TCAD仿真結(jié)果表明，插入兩層InGaN/GaN的集成結(jié)構(gòu)比一層InGaN的集成結(jié)構(gòu)具有更高的輻射復(fù)合。

任開(kāi)琳博士，上海大學(xué)微電子學(xué)院講師。博士畢業(yè)于新加坡國(guó)立大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系，研究方向?yàn)楣β拾雽?dǎo)體器件。2021年加入上海大學(xué)微電子學(xué)院張建華教授領(lǐng)銜的硅基微顯示研究團(tuán)隊(duì)，從事硅基Micro-LED微顯示技術(shù)研發(fā)和車規(guī)級(jí)功率集成芯片熱測(cè)試及可靠性檢測(cè)研究。近三年在IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、IEEE Journal of the Electron Device Society、Journal of Applied Physics等微電子器件領(lǐng)域權(quán)威期刊上發(fā)表SCI論文7篇、EI論文11篇，參與了上海市“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃”高新技術(shù)領(lǐng)域?qū)ｍ?xiàng)及多項(xiàng)新加坡教育部基金項(xiàng)目，為IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Journal of the Electron Device Society、Superlattices and Microstructures等期刊擔(dān)任審稿人。

 

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