近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

 

期間，由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協辦支持的“Mini/Micro-LED技術“分會如期舉行。會上，上海大學任開琳做了題為“一種新型氮化鎵基Micro-LED及其驅動HEMT的單片集成結構”的主題報告。報告提出了一種新型的顯示器件及其驅動器件的單片集成結構。

在高電子遷移率晶體管（HEMT）的漏極下添加P-GaN帽層，在AlGaN/GaN之間插入一層或多層InGaN量子阱，以實現氮化鎵基Micro-LED及其驅動HEMT的單片集成。由于這種結構消除了金屬互連，降低了寄生電阻和電容，因此有潛力應用于高速可見光通信的發射端。

 

研究通過TCAD仿真研究該結構中輻射復合的分布，并比較了不同器件結構下輻射復合率的二維積分，從而優化了AlGaN勢壘層中Al含量、InGaN層中In含量和InGaN層厚度等器件結構參數。TCAD仿真結果表明，插入兩層InGaN/GaN的集成結構比一層InGaN的集成結構具有更高的輻射復合。

任開琳博士，上海大學微電子學院講師。博士畢業于新加坡國立大學電子與計算機工程系，研究方向為功率半導體器件。2021年加入上海大學微電子學院張建華教授領銜的硅基微顯示研究團隊，從事硅基Micro-LED微顯示技術研發和車規級功率集成芯片熱測試及可靠性檢測研究。近三年在IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、IEEE Journal of the Electron Device Society、Journal of Applied Physics等微電子器件領域權威期刊上發表SCI論文7篇、EI論文11篇，參與了上海市“科技創新行動計劃”高新技術領域專項及多項新加坡教育部基金項目，為IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Journal of the Electron Device Society、Superlattices and Microstructures等期刊擔任審稿人。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）