該項目基于具有自主知識產權的硅襯底LED路線，開發了4英寸硅襯底上近紫外LED材料生長、芯片設計、器件工藝和光源封裝等全鏈條創新技術，在光效、良率、可靠性等關鍵性能方面已達到國際先進水平。

 

硅襯底LED技術和工藝采用比較成熟的化學濕法無損去除襯底，在芯片可靠性和良品率上具有明顯的優勢，制得的垂直結構能更好滿足近紫外LED應用對大功率電流擴散、單面出光光束集中等要求。

 

據了解，與相比傳統汞燈紫外光源相比，硅襯底紫外LED具有更環保、能量更高、能耗更低、壽命更長、體積更小等優點，已經開始在眾多領域取代傳統汞燈，被認為是繼白光LED照明應用后的另一個重要市場，其中以近紫外（365nm-410nm）LED應用最為廣泛，市場規模最大。該項目是硅襯底LED技術向更高端、更高附加值應用領域延伸的又一突破。

 

在該項目的帶動下，晶能光電推出的硅襯底近紫外LED產品已廣泛應用于工業固化、美甲、誘蚊等領域。該項目的順利驗收，將進一步豐富江西省硅襯底LED產品鏈，對推動江西省LED產業高質量發展具有重要意義。（來源：江西省科技廳）