1月10日，新加坡科學(xué)、技術(shù)和研究機(jī)構(gòu)（A*STAR）的微電子研究所（IME）和法國半導(dǎo)體材料公司Soitec宣布開展研究合作，開發(fā)下一代碳化硅（SiC）半導(dǎo)體器件，為電動汽車和先進(jìn)高壓電子設(shè)備提供動力。雙方將利用Soitec的專有技術(shù)，如Smart Cut?和IME的試驗生產(chǎn)線來制造直徑為200 mm的SiC半導(dǎo)體基板。
（圖片來源：Soitec）
此次聯(lián)合研究將有助于開發(fā)一個整體的SiC生態(tài)系統(tǒng)，并提高新加坡和巴黎的半導(dǎo)體制造能力。該研究合作計劃于2024年年中完成，旨在實現(xiàn)：
開發(fā)用于Smart Cut? SiC基板SiC外延和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）制造工藝，以生產(chǎn)更高質(zhì)量的微芯片晶體管，并在制造過程中降低不合格率的同時提高產(chǎn)量；
為在Smart Cut? SiC基板上制造SiC功率MOSFET器件建立基準(zhǔn)，并展示該工藝相較于傳統(tǒng)體基板的優(yōu)勢。
Soitec首席技術(shù)官兼高級執(zhí)行副總裁Christophe Maleville表示：“此次合作我們將有機(jī)會展示SmartSiC基板可擴(kuò)展到200mm的性能，并為開發(fā)先進(jìn)的外延解決方案鋪平道路，以生產(chǎn)具有節(jié)能特性的更高質(zhì)量的SiC晶圓。新加坡的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)將受益于此，從而驗證合理生產(chǎn)的SiC晶圓的卓越能效。”
