通美晶體招股書顯示，公司是一家全球知名的半導體材料科技企業，主要從事磷化銦襯底、砷化鎵襯底、鍺襯底、PBN材料（熱解氮化硼）及其他高純材料的研發、生產和銷售。

 

據了解，磷化銦襯底、砷化鎵襯底、鍺襯底產品可用于生產射頻器件、光模塊、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探測器、傳感器、太空太陽能電池等器件，在5G通信、數據中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、可穿戴設備、航天等領域具有廣闊的應用空間。PBN材料及其他高純材料產品從源頭上保障了半導體襯底上游材料的高品質供應，同時在化合物半導體、半導體設備、OLED、LED等產業有廣泛的應用。

 

通美晶體客戶廣泛，包括Osram、meta、Qorvo、IPG、Skyworks、Broadcom、三安光電等專業的外延廠商、代工廠商、芯片及器件廠商。通美晶體表示，公司是全球范圍內少數掌握8英寸砷化鎵襯底及6英寸磷化銦襯底生產技術的企業之一，與主要競爭對手Sumitomo、日本JX、Freiberger同處于全球III-V族化合物半導體材料行業第一梯隊，未來隨著半導體產業鏈逐步向中國大陸轉移，以及境內5G通信、數據中心、新一代顯示等下游產業的不斷成熟，公司有望在新一輪產業周期中把握新興市場發展機遇，成為全球III-V族化合物半導體襯底材料的龍頭企業。

 

根據國際知名行業咨詢機構Yole統計，2020年通美晶體在磷化銦襯底市場的全球市場占有率為36%，僅次于占比42%的Sumitomo，位居全球第二。2019年通美晶體在砷化鎵襯底市場的全球市場占有率為13%，位居全球第四。

 

 

通美晶體表示，公司形成了深厚的技術積累和工藝積淀，已掌握了砷化鎵多晶合成、半絕緣砷化鎵單晶垂直梯度冷凝法生長與碳摻雜控制、半導型砷化鎵單晶垂直梯度冷凝法生長和均勻摻雜控制、高質量鍺單晶垂直梯度冷凝法生長和摻雜控制、高質量磷化銦單晶垂直梯度冷凝法生長和摻雜控制、縱向溫度梯度部分結晶、熱解氮化硼化學氣相沉積等核心技術。在全球III-V族化合物半導體材料行業內，公司已擁有了完整、獨立的技術體系。

 

2018年-2020年以及2021年上半年（報告期內），公司營業收入分別為4.90億元、4.62億元、5.83億元、3.94億元，歸屬于母公司股東的凈利潤分別為3062.44萬元、-3338.90萬元、4822.19萬元、4019.10萬元。研發費用分別為2707.54萬元、2682.64萬元、4510.82萬元、3849.64萬元，占當期營業收入的比例分別為5.52%、5.80%、7.73%、9.78%。截至2021年9月30日，公司共擁有發明專利51項。

 

化合物半導體襯底材料定制化程度較高，下游客戶對規格型號、產品標準、技術參數等方面的要求較高，屬于典型的高、精、尖高端材料，行業具有較高的技術壁壘、市場壁壘和客戶驗證壁壘。報告期內，公司綜合毛利率分別為30.65%、19.43%、25.68%、33.02%，整體呈現上升態勢。通美晶體表示，公司將通過產品升級、工藝改進、豐富產品類型、加強成本控制、提升商務談判水平等措施，進一步提升市場地位，并持續提升公司的毛利率水平。

 

 

通美晶體本次發行計劃募集資金11.67億元，將投入砷化鎵半導體材料項目和補充流動資金項目。其中，砷化鎵半導體材料項目將使公司實現新產品8英寸砷化鎵襯底的量產，并且擴大2-6英寸砷化鎵襯底的生產規模，為公司大尺寸砷化鎵襯底產品在Mini LED和Micro LED 領域的布局創造條件，也將有利于鞏固公司全球市場份額。

 

招股書介紹，此次募投項目砷化鎵半導體材料項目的產品主要為2、3、4、5、6、8英寸砷化鎵襯底，將建設形成年產50萬片8英寸砷化鎵襯底及年產400萬片砷化鎵襯底（折合2英寸）的生產能力。

 

截至目前，全球范圍內6英寸及以下尺寸的砷化鎵襯底已實現規模化量產，而8英寸砷化鎵襯底已成為市場關注的焦點。下游5G射頻器件、Mini LED器件、Micro LED器件、車載激光雷達等領域客戶的新建產線很可能切換至8英寸，通美晶體謀求8英寸砷化鎵襯底量產將具備廣闊的市場空間。目前，公司的8英寸砷化鎵襯底正處于客戶認證階段，已陸續取得了部分客戶的認證，未來將實現規模化銷售。

 

值得注意的是，通美晶體無實際控制人。公司控股股東為外資公司AXT，AXT于1998年5月在NASDAQ上市，持有公司85.51%股份，公司本次發行上市系AXT分拆其主要資產及全部業務在上海證券交易所科創板上市。AXT股權結構分散，無實際控制人，因此，公司也無實際控制人。