3月23日晚間，國星光電(002449)披露2021年年報，公司實現營業收入38.06億元，同比增長16.64%；凈利潤2.03億元，同比增長100.28%；基本每股收益0.3275元。公司擬向全體股東每10股派發現金紅利0.50元（含稅）。
加快推進新市場開發
年報顯示，2021年，在通用照明出口帶動、顯示市場回暖、Mini背光滲透率迅速提升等因素的帶動下，LED行業整體回溫。受益于出口替代轉移效應的持續、國內宏觀經濟復蘇以及Mini新興市場起量，LED行業從疫情中步入復蘇，但受疫情反復及行業周期性等因素影響，行業整體復蘇進程較為曲折。
報告期內，公司加大對新市場新領域的開拓，優化客戶結構及產品結構，提升核心產品在中高端市場的競爭力和市場份額，加快推進新市場新客戶開發。公司緊跟行業發展動態，重點布局照明、顯示、背光等應用領域新興市場，同時開辟第三代半導體新賽道。
MiniLED方面，目前公司產品布局實現P1.5-P0.4全系列覆蓋。其中，公司在報告期內推出的IMDM04產品率先采用了全球封裝密度最高20in1MiniLED技術方案。IMD-M09實現量產并榮獲“LED顯示供應鏈創新年度產品獎”；MiniLED背光方面，公司堅持MiniPOB、MiniCOB及MiniCOG三大封裝技術路線并行發展，應用場景覆蓋TV、高階顯示器、PAD、筆電、車載等終端顯示領域。報告期內，公司MiniLED背光產品實現批量出貨，并與國際知名大廠達成戰略合作關系。
MicroLED方面，自2018年公司成立國內“Micro&MiniLED研究中心”以來，研究中心積極進行前瞻技術儲備，為超高清顯示發展奠定堅實的技術基礎。報告期內，公司成功開發出高一致性像素化量子點色轉換彩膜制備技術，有效解決了MicroLED紅光芯片良率低、光效低、巨量轉移難度高的技術痛點，進一步提高良率，減少修復，從而降低成本，對推動高分辨率MicroLED全彩化顯示有著重要的意義。
積極布局第三代半導體
第三代半導體方面，報告期內，國星光電推出了SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件3大系列產品。其中，SiC功率模塊及GaN器件新品實驗線已投入生產運作，可迅速響應對接客戶個性化的需求；SiC功率分立器件產品產線已投入使用，并完成了多個合作商的試產訂單。
同時，公司也積極布局三代半上游外延芯片領域，子公司國星半導體現已具備硅基GaN芯片相關技術儲備，并積極與高校和研究所展開GaN功率器件等的研發工作，并參與了兩項第三代半導體方向的省級研發項目。
在高端細分市場及新興應用領域方面，公司在報告期內率先推出了全無機UVLED產品，現已形成完善的全無機UVLED產品系列；UVCLED依托較為先進的封裝工藝和光學設計，在國內率先將中小功率產品WPE提升至5.6%；在新興領域，公司推出智能健康感測器件并實現量產，產品可廣泛應用于智能手表、智能手環、VR等設備場景，目前公司正與國內外品牌廠商聯手合作，共同發力可穿戴設備新賽道。
報告期內，公司牽頭、聯合華南理工大學等高校共建的“廣東省半導體微顯示企業重點實驗室”，專注超高清半導體微顯示領域研究，取得全球首發的P0.4IMD、研制行業最高發光效率的量子點LED器件等多項突破；截至2021年12月31日，公司及子公司共申請專利1016項，授權專利數量共704項，其中，Micro/Mini領域公司申請國內外專利202項。
國星光電表示，Mini/MicroLED作為新一代核心顯示技術，具有不可替代的優勢，正逐步成為新型顯示市場的主流解決方案。2021年以來，業內諸多龍頭企業相繼發布相關產品，Mini/MicroLED新型顯示技術的產業化應用進入了關鍵時期，隨著投資企業不斷增加，產業鏈參與范圍不斷擴大，在政府、企業和資金的共同推動下，Mini/MicroLED產業發展將進入快車道
