半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：8月17日，第十七屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議在山西太原勝利閉幕。

 

大會主席、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任李晉閩研究員，國家自然科學(xué)基金委員會信息學(xué)部副主任何杰，中北大學(xué)校長熊繼軍教授，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授沈波，西安電子科技大學(xué)副校長張進成教授，鄭州大學(xué)副校長單崇新教授等嘉賓出席了閉幕式。

 

 

閉幕式的大會主題報告環(huán)節(jié)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)一些關(guān)鍵難題分享了最新研究進展和成果。北京大學(xué)沈波教授帶來了題為“氮化物寬禁帶半導(dǎo)體大失配異質(zhì)外延新進展”的主題報告；山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授（朱振博士代）做了題為“GaAs半導(dǎo)體激光器的研究進展”的主題報告；中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員（劉宗亮博士代）帶來了“氮化鎵單晶襯底生長與應(yīng)用進展”的主題報告。山西師范大學(xué)校黨委副書記、校長許小紅教授主持了大會報告環(huán)節(jié)。

 

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。

沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細分享了藍寶石上AIN AIGaN的外延生長和p型/n型摻雜，Si上GaN、AIN的外延生長的最新研究進展和成果。提出了多種有針對性的的外延生長和p型/n型摻雜方法，發(fā)明了多種有針對性的外延生長方法。報告指出，由于異質(zhì)外延體系大失配，強極性的特征，氮化物的半導(dǎo)體的外延生長和摻雜依然面臨一系列關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，需從生長動力學(xué)，缺陷物理和應(yīng)力控制等角度開展系統(tǒng)的研究。

 

半導(dǎo)體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x（905-1060）nm系列的半導(dǎo)體激光器芯片在市場需求牽引下發(fā)展迅速，已經(jīng)突破影響激光器的壽命和可靠性問題，實現(xiàn)了從材料、芯片、模組全鏈條產(chǎn)業(yè)化。

 

常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生長的多種方法，難點解決以及研究成果。涉及報告指出，未來向更高功率密度，更小的芯片發(fā)展，需要高質(zhì)量的同質(zhì)外延技術(shù)，氮化鎵單晶襯底的發(fā)展，距離全面的市場成熟，仍然需要更大力度的創(chuàng)新研究。

 

 
主題對話
 

隨后的主題對話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干力量齊聚，圍繞著“MOCVD外延技術(shù)和裝備面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢”與“碳化硅、氮化鎵和氧化鎵功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域、關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題及解決之道”兩大主題，臺上臺下展開探討，從不同的角度分享不同見解，觀點碰撞，氣氛熱烈。

 

大會組委會主任、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員王軍喜代表組委會介紹了本屆會議籌辦情況，本次會議得到了業(yè)界、學(xué)界廣泛的支持與積極參與，本屆會議為期兩天，包含開閉幕式兩場大會，四個主題分會。邀請報告50個，口頭報告62個，海報展示166張，論文摘要錄用280篇。根據(jù)注冊統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示參會代表超過500人，線上開閉幕式報告直播觀看人次超過5000+。根據(jù)注冊統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示超過200家單位機構(gòu)參與，實際參會人數(shù)近700人。

 

此外，閉幕式期間，大會主席、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員，中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長阮軍，山西師范大學(xué)校黨委副書記、校長許小紅教授，中北大學(xué)校長熊繼軍教授，鄭州大學(xué)副校長單崇新教授共同為本次會議優(yōu)秀海報獎獲得者頒發(fā)獎勵。

 
優(yōu)秀海報獎獲得者頒獎

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長龍世兵教授介紹下一屆會議籌備情況

第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議將由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦，于湖北恩施舉辦。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長龍世兵教授介紹了會議籌備情況，并向業(yè)界、學(xué)界的專家學(xué)者、青年學(xué)子們發(fā)出積極邀請。