當(dāng)前，SiC應(yīng)用持續(xù)高速發(fā)展帶來機(jī)遇，SiC功率器件進(jìn)入放量窗口期，國產(chǎn)器件被市場接受。SiC市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，在未來5年內(nèi)，SiC功率器件將占據(jù)整個功率器件市場的30%。到2027年，該行業(yè)的產(chǎn)值有望超過60億美元。

4月20日，首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、九峰山實(shí)驗室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺聯(lián)盟共同主辦。

開幕大會上，華大半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理劉勁梅分享了中國碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。報告認(rèn)為，2023年中國SiC產(chǎn)業(yè)將因市場應(yīng)用爆發(fā)而發(fā)生質(zhì)變，形成新的競爭格局。

SiC在材料體系上具有很強(qiáng)的性能優(yōu)勢。從SiC產(chǎn)業(yè)鏈和價值鏈來看，襯底是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘相對較高的環(huán)節(jié)。襯底和外延在SiC功率器件成本中比例最高。隨著器件設(shè)計的復(fù)雜性以及共給，制造的成本占比逐漸提升。平面MOS進(jìn)入了工程化階段，成本成為第一考慮要素。

襯底環(huán)節(jié)，當(dāng)前國內(nèi)從業(yè)公司眾多，已經(jīng)提供樣品的（含產(chǎn)業(yè)化）的超過15家，規(guī)劃產(chǎn)能滿足甚至超過行業(yè)需求。6英寸SiC 襯底已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，微管密度小于0.2個/cm²，螺位錯密度小于300個/cm²。8英寸宣布研發(fā)成功。但也面臨著一定的挑戰(zhàn)，時間窗口上可能實(shí)現(xiàn)規(guī)劃產(chǎn)能時產(chǎn)能已過剩，或主流已經(jīng)轉(zhuǎn)入8寸，而產(chǎn)線退出成本很高（只有20%設(shè)備可重復(fù)利用）。技術(shù)上和國際最高水平存在差距，直接表現(xiàn)為成本競爭力，尤其8英寸量產(chǎn)進(jìn)度上。還有一些革命性技術(shù)在路上。制造和工藝部分，專業(yè)制造公司不足。器件設(shè)計部分，平面MOS產(chǎn)業(yè)化，降本提質(zhì)是關(guān)鍵。

報告指出，SiC產(chǎn)業(yè)面臨市場放量窗口的重大機(jī)遇。國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈能夠支撐當(dāng)前市場應(yīng)用需求，尤其是設(shè)計和制造結(jié)合，器件特性達(dá)到國際領(lǐng)先水平。產(chǎn)業(yè)降本提質(zhì)成為當(dāng)前核心，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)都不同程度面臨挑戰(zhàn)。SiC技術(shù)不斷發(fā)展，一些關(guān)鍵技術(shù)問題需要基礎(chǔ)課題研究。需要產(chǎn)學(xué)研大力合作。