12月9日，芯元基宣布公司在其獨有的化學剝離Micro LED的技術基礎上，成功開發出了晶圓級印章巨量轉移工藝，達到了轉移芯片位置零偏差。

圖片來源：芯元基

據悉，芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半導體氮化鎵（GaN）材料自主研發、設計、生產藍寶石基GaN高端薄膜結構芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。該公司于2021年10月正式進入Micro LED領域，發展至今取得不少突破。

2022年1月，芯元基全屏點亮5μm Micro LED芯片陣列；7月27日，點亮0.12英寸 、pitch 3.75μm Micro LED芯片陣列；8月29日，點亮InGaN基紅光Micro LED芯片陣列；10月13日，實現0.41英寸單色Micro LED微顯示屏視頻顯示。

今年1月，芯元基實現0.39英寸單色Micro LED顯示屏視頻顯示；5月16日， 成功開發出了矩陣車燈用的薄膜 Micro LED芯片；7月5日，實現了高良率、高效純紅光倒裝結構和正裝結構的量子點MiniLED芯片。

客戶合作方面，去年7月，芯元基宣布與多家頭部廠家合作開發Micro LED顯示的巨量鍵合工藝，公司的Chip on Carrier產品和Chip on Stamp產品已經通過客戶的研發樣品測試，并取得頭部廠家的相關采購訂單；今年4月，芯元基宣布最新研制的弱化結構Micro LED芯片獲得韓國客戶小批量采購訂單。

技術方面，芯元基已形成了以藍寶石復合圖形襯底技術（DPSS）、晶面輔助側向外延生長技術、化學剝離藍寶石襯底技術和晶圓級批量轉移技術等為核心的技術體系，該技術的主要應用方向有高端的垂直結構薄膜LED芯片、電子功率器件及Micro LED。

項目建設方面，2020年11月，芯元基第三代半導體氮化鎵項目簽約安徽池州高新區，計劃分兩個階段建設。第一階段主要建設第三代半導體GaN基UVA及DPSS項目，總投資6億元；第二階段主要建設GaN基電子功率器件項目及Micro LED項目。

資本方面，芯元基目前已獲中微半導體、上海創徒、張江科投、張江高科、浦東科創、上海自貿區基金等逾億元投資。

來源：芯元基、LEDinside