國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門(mén)未來(lái)顯示技術(shù)研究院有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN 118763161 A，申請(qǐng)日期為2024年6月。

專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，其所述有源層通過(guò)最后一個(gè)量子壘層與所述電子阻擋層形成接觸；且，在所述電子阻擋層中嵌入最后一個(gè)量子阱層。基于上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)在最后一個(gè)量子壘層和最后一個(gè)量子阱層之間夾雜設(shè)有所述前置電子阻擋層，從而增加了電子有效勢(shì)壘高度藉以減少電子泄露此外通過(guò)在所述電子阻擋層中嵌入最后一個(gè)量子阱層，有利于增強(qiáng)其電子俘獲能力并增加空穴隧穿使載流子在有源層分布更加均勻，最終得以提升LED芯片的整體發(fā)光性能；同時(shí)，可通過(guò)后置電子阻擋層進(jìn)一步遲滯電子的遷移速率。