在混合動力及電動汽車、電力和光伏 逆變器等多種需求的推動下，SiC和GaN功率半導體市場規(guī)模持續(xù)增長，陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和材料選擇對功率半導體器件的性能和應(yīng)用領(lǐng)域有重要影響。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。   

期間，”碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超做了”功率器件封裝用的高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術(shù)“的主題報告。分享了面向功率器件封裝用陶瓷基板的發(fā)展現(xiàn)況，以及博睿陶瓷基板研究進展等內(nèi)容。

梁超

江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理

博睿光電陶瓷基板的研究方向，涉及高性能AlN陶瓷基板、基于AlN基板的金屬化技術(shù)等。熱導率的持續(xù)提升是研究的焦點，材料缺陷產(chǎn)生的聲子散射為制約其熱導率提高的核心問題。報告分享了高導熱AlN陶瓷的研究思路，超高導熱AlN陶瓷制備技術(shù)，高導熱AlN陶瓷翹曲控制、高導熱AlN陶瓷基板表面拓撲控制、AlN陶瓷基板金屬化技術(shù)等研究進展，以及高導熱+[超薄·高強·高韌]基板性能新挑戰(zhàn)等。

報告指出，AlN陶瓷基板的熱導率提升有利于助推其更廣闊的應(yīng)用前景。超高導熱AlN陶瓷基板的低成本制造技術(shù)突破將會推動AlN陶瓷基板進入更多應(yīng)用領(lǐng)域。高性能AlN陶瓷基板與DPC/AMB/DBA金屬化技術(shù)的充分結(jié)合，將會更好的滿足未來高密度封裝的發(fā)展需求。

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）