國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“LED 外延片、LED 芯片及 LED 外延片的制備方法”的專利，公開號(hào) CN 119153596 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 11 月。
專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種 LED 外延片、LED 芯 片及 LED 外延片的制備方 法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，LED 外延片包括襯底、外延層，外延層包括依次堆疊設(shè)置的 n 型電子層、n 型電子阻擋層、有源層、p 型空穴阻擋層、p 型空穴層和 p 型窗口層，p 型窗口層包括兩個(gè)隧道結(jié)結(jié)構(gòu)和夾設(shè)于兩個(gè)隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之間的沿堆疊方向呈周期性分布的超晶格單元，隧道結(jié)結(jié)構(gòu)包括依次堆疊設(shè)置的 p 型摻雜 InP 子層、未摻雜 InP 子層、n 型摻雜 InP 子層，超晶格單元包括依次堆疊設(shè)置的 AlxP 子層和 Ga1 xP 子層。本發(fā)明通過在 p 型窗口層中引入隧道結(jié)結(jié)構(gòu)和超晶格單元所形成的超晶格結(jié)構(gòu)，可以提高載流子的注入效率，降低電阻，提高電流擴(kuò)展能力。
