量子點光電子器件在照明、激光和光伏領域具有關鍵作用，但其性能受限于納米晶氧化物電子注入層（EIL）的n型特性不足。

浙江大學林星和彭笑剛等人通過一種簡單的還原處理方法，開發了一種高n型摻雜的納米晶EIL，其電子電導率提高了1000倍，并增強了空穴阻擋能力。由此制備的量子點發光二極管（QLED）在亞帶隙驅動下表現出優異的效率和超高亮度，超越當前基準至少2.6倍，且僅需適度偏壓即可達到量子點激光二極管的水平。

這一突破使白光QLED超越了美國能源部2035年通用照明目標（目前占全球電力消耗的15%）。本研究為理解和優化納米晶半導體載流子傳輸提供了新思路，適用于多種溶液加工光電器件。

文章亮點總結

高導電性電子注入層：通過原位還原處理，將ZnMgO納米晶EIL的電子電導率提升1000倍，實現歐姆傳輸和高效空穴阻擋，顯著改善QLED性能。

超高亮度與效率：亞帶隙驅動的QLED亮度達到現有技術的2.6倍以上，峰值效率接近90%，滿足通用照明的高標準需求。

超越2035能源目標：白光QLED的光效達168-181 lm/W，色顯指數超過90，提前實現美國能源部2035年技術指標。

Zheng, Y., Lin, X., Li, J. et al. In situ n-doped nanocrystalline electron-injection-layer for general-lighting quantum-dot LEDs. Nat Commun 16, 3362 (2025).

https://doi.org/10.1038/s41467-025-58471-5