同期：第十五屆中國國際光電博覽會(CIOE)LED展

        (中國·深圳會展中心 2013年9月4日-7日)

　　主辦單位：

 國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

 中國國際光電博覽會組委會(CIOE)

　　支持單位：

 中國科學(xué)技術(shù)部

 中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會

 中國科學(xué)院

 中國科學(xué)院光電研究院

　　承辦單位:

 國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

 中國國際光電高峰論壇辦公室(CIOEC)

 香港應(yīng)用科技研究院

　　協(xié)辦單位：

 武漢光電國家實(shí)驗室(籌)

 深圳半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(SSAL)

 重慶市LED照明研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

 深圳市光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會

 2013 LED應(yīng)用技術(shù)及市場發(fā)展論壇以創(chuàng)新、發(fā)展、自主為主題。主要是為了提升產(chǎn)業(yè)的核心競爭力，提高自主創(chuàng)新能力，側(cè)重市場、應(yīng)用技術(shù)交流、以實(shí)用化為主，更好的促進(jìn)LED供應(yīng)商和行業(yè)客戶之間的互動，搭建一個LED技術(shù)交流、資源分享、學(xué)術(shù)研究、難題攻關(guān)的產(chǎn)、學(xué)、研交流平臺。本次論壇將與國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)合作舉辦主題為“第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展”專題分會、將與香港應(yīng)用科技研究院合作舉辦LED與OLED創(chuàng)新技術(shù)與應(yīng)用研討會。與CSA的合作無疑成為CIOE的又一重大亮點(diǎn)。

　　第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會

　　時間：

　　一、會議背景

 新型半導(dǎo)體材料的研究和突破，常常推動新的技術(shù)革命和產(chǎn)業(yè)變革，甚至催生新的產(chǎn)業(yè)群。以Si和GaAs為代表的傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的高速發(fā)展推動了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。然而，受材料本身性能所限，用這些材料制成的器件大都只能在200℃以下的環(huán)境下工作，且抗輻射、耐高電壓性能以及發(fā)射可見光范圍都不能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展對高溫、高頻、高壓以及抗輻射、能發(fā)射藍(lán)光等提出的新要求。而以GaN、SiC、金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等獨(dú)特的性能，使其在光電器件、高頻大功率、高溫電子器件等方面倍受青睞，近10年獲得了高速的發(fā)展。由于其在信息存儲、照明顯示、電力電子以及醫(yī)療和軍事等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，并將預(yù)示著光電信息乃至光子信息時代的來臨，因此，以半導(dǎo)體照明典型應(yīng)用突破口的第三代半導(dǎo)體材料同時也被譽(yù)為光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)新的發(fā)動機(jī)。

 第三代半導(dǎo)體材料及器件不僅可形成上千億美元相關(guān)設(shè)備、系統(tǒng)的新產(chǎn)業(yè)的形成，還將在能源節(jié)約、電能利用率等方面具有重大意義。半導(dǎo)體照明是第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新和市場應(yīng)用的突破口之一，目前已在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域顯現(xiàn)出了巨大的市場潛力。近幾年，世界各國政府有關(guān)機(jī)構(gòu)、相關(guān)企業(yè)、以及投資公司紛紛加大了對第三代半導(dǎo)體材料及其器件的投入和支持，啟動了大規(guī)模的GaN基光電器件商用開發(fā)計劃。一些具有前瞻性的風(fēng)險投資機(jī)構(gòu)也密切關(guān)注該領(lǐng)域并加大了投資力度。我國政府也高度重視第三代半導(dǎo)體材料的研究與開發(fā)，從2004年開始對第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究進(jìn)行了部署，啟動了一系列重大研究項目，2013年科技部在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項目征集指南中明確將第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用列為重要內(nèi)容。

 為了促進(jìn)我國第三代半導(dǎo)體材料核心技術(shù)研發(fā)及在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化，開展創(chuàng)新應(yīng)用技術(shù)研發(fā)和示范，提升我國第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)業(yè)的國際競爭力，幫助企業(yè)把握新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的契機(jī)，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，引領(lǐng)中國光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟將于2013年9月5日第十五屆中國國際光電博覽會期間舉辦“首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會”，邀請研發(fā)機(jī)構(gòu)、企業(yè)及用戶單位共聚一堂，互動交流，共同探討第三代半導(dǎo)體照明材料的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢及前景。

　　二、組織機(jī)構(gòu)

　　主辦單位：

 國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

 中國國際光電博覽會組委會(CIOE)

　　三、論壇內(nèi)容

 研發(fā)機(jī)構(gòu)、企業(yè)和應(yīng)用單位共同交流探討：

 1、第三代半導(dǎo)體材料國內(nèi)外研究進(jìn)展及重點(diǎn)方向;

 2、第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用、需求及發(fā)展趨勢;

 3、各國政府及跨國企業(yè)對于第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展部署;

 4、第三代半導(dǎo)體材料的投資價值和機(jī)會分析。

　　四：日程安排（擬）

　　LED與OLED創(chuàng)新技術(shù)與應(yīng)用研討會

 時間：2013年9月4日(下午) 地點(diǎn)：深圳會展中心5樓玫瑰廳

　　會議日程：

　　其他活動：

 ▲2013LED新技術(shù)新產(chǎn)品發(fā)布會

 會議地點(diǎn)：深圳會展中心四號館現(xiàn)場

 9月4日下午 LED 芯片材料專場

 9月5日上午 LED 封裝技術(shù)專場

 9月5日下午 LED 顯示屏技術(shù)與發(fā)展趨勢專場

 9月6日上午 LED 照明專場(待定)