1.正向電壓下降 暗光

       A：一種是電極與發光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。

       B：一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位。

       別的封裝進程中也能夠形成正向壓下降，首要緣由有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩定。

       正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時，經過芯片的電流小，然后體現暗點，還有一種暗光表象是芯片自身發光功率低，正向壓降正常。

2.難壓焊：(首要有打不粘，電極掉落，打穿電極)

       A：打不粘：首要因為電極外表氧化或有膠

       B：有與發光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢，其間以加厚層掉落為主。

       C：打穿電極：通常與芯片資料有關，資料脆且強度不高的資料易打穿電極，通常GAALAS資料(如高紅，紅外芯片)較GAP資料易打穿電極，

       D：壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時刻，壓力，金球巨細，支架定位等進行調整。

3.發光色彩區別：

       A：同一張芯片發光色彩有顯著區別首要是因為外延片資料疑問，ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄，成長是很難確保各區域組分共同。(組分決議禁帶寬度，禁帶寬度決議波長)。

       B：GAP黃綠芯片，發光波長不會有很大誤差，可是因為人眼對這個波段色彩靈敏，很簡單查出偏黃，偏綠。因為波長是外延片資料決議的，區域越小，呈現色彩誤差概念越小，故在M/T作業中有附近選取法。

       C：GAP赤色芯片有的發光色彩是偏橙黃色，這是因為其發光機理為直接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易發生雜質能級偏移和發光飽滿，發光是開端變為橙黃色。

4.閘流體效應：

       A：是發光二極管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到必定程度，電流發生驟變。

       B：發生閘流體表象緣由是發光資料外延片成長時呈現了反向夾層，有此表象的LED在IF=20MA時測驗的正向壓降有躲藏性，在運用進程是出于南北極電壓不行大，體現為不亮，可用測驗信息儀器從晶體管圖示儀測驗曲線，也能夠經過小電流IF=10UA下的正向壓降來發現，小電流下的正向壓降顯著偏大，則能夠是該疑問所形成的。

5.反向漏電：

       A：緣由：外延資料，芯片制造，器材封裝，測驗通常5V下反向漏電流為10UA，也能夠固定反向電流下測驗反向電壓。

       B：不一樣類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可到達一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。

       C：外延形成的反向漏電首要由PN結內部布局缺點所形成的，芯片制造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液分配銀膠。以避免銀膠經過毛細表象爬到結區