據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種基于無掩模二次外延的micro-LED芯片陣列的制備方法“，公開號CN117766642A，申請日期為2023年12月。專利摘要顯示，本發明公開了一種基于無掩模二次外延的microLED芯片陣列的制備方法。本發明通過對GaN模板進行干法刻蝕，形成應力弛豫圖形化GaN模板，再在應力弛豫圖形化GaN模板基礎上選區二次外延多量子阱等結構，有效避免對多量子阱區域進行干法刻蝕，從而避免了多量子阱的側壁刻蝕損傷；應力弛豫圖形化GaN模板使得n型摻雜的GaN受到的應力得到有效弛豫；在應力弛豫圖形化GaN模板上生長的預應力層，所受到的壓應力得到部分弛豫，面內晶格常數得到擴張，從而減小銦并入所需要的能量，增加多量子阱中銦的并入；在制備應力弛豫圖形化GaN模板中的刻蝕，使得只有GaN微米柱陣列的頂面為c面，作為生長面；選區二次外延生長，不需要額外的掩模，降低了microLED制備工藝的復雜度。