據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于無(wú)掩模二次外延的micro-LED芯片陣列的制備方法“，公開號(hào)CN117766642A，申請(qǐng)日期為2023年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種基于無(wú)掩模二次外延的microLED芯片陣列的制備方法。本發(fā)明通過(guò)對(duì)GaN模板進(jìn)行干法刻蝕，形成應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板，再在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板基礎(chǔ)上選區(qū)二次外延多量子阱等結(jié)構(gòu)，有效避免對(duì)多量子阱區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕，從而避免了多量子阱的側(cè)壁刻蝕損傷；應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板使得n型摻雜的GaN受到的應(yīng)力得到有效弛豫；在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板上生長(zhǎng)的預(yù)應(yīng)力層，所受到的壓應(yīng)力得到部分弛豫，面內(nèi)晶格常數(shù)得到擴(kuò)張，從而減小銦并入所需要的能量，增加多量子阱中銦的并入；在制備應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板中的刻蝕，使得只有GaN微米柱陣列的頂面為c面，作為生長(zhǎng)面；選區(qū)二次外延生長(zhǎng)，不需要額外的掩模，降低了microLED制備工藝的復(fù)雜度。