外延生長|磊晶的概念

       在合適的襯底基片上生長結(jié)晶軸相互一致的結(jié)晶層的技術。用于制作沒有雜質(zhì)和缺陷的結(jié)晶層。包括在基片上與氣體發(fā)生反應以積累結(jié)晶層的VPE(氣相生長)法、以及與溶液相互接觸以生長結(jié)晶相的LPE(液相生長)法等。

主流技術

       藍色LED、白色LED以及藍紫色半導體激光器等GaN類發(fā)光元件一般采用VPE法之一的MOCVD(metal Organic Chemical Vapor Deposition)法進行生產(chǎn)。MOCVD采用有機金屬氣體等作為原料。藍色LED在藍寶石基片和SiC基片上，藍紫色半導體激光器在GaN基片上使用MOCVD裝置使得GaN類半導體層形成外延生長。

“404專利”的內(nèi)容

       提出專利權(quán)歸屬問題而進行訴訟的“404專利”，是將原料氣體封入藍寶石底板表面附近的方式之一。在生長GaN類半導體膜的底板(藍寶石底板等)表面沿水平方向通入原料氣體，同時為了將原料氣體固定在底板表面，沿垂直方向向底板表面通入非活性氣體。(根據(jù)專利公報上刊登的圖制作)

       中村修二就其在日亞化學工業(yè)工作時所發(fā)明專利的“正當價格”與日亞化學工業(yè)展開的訴訟中所涉及的GaN類發(fā)光元件專利(專利第2628404號，以下稱404專利)就是外延生長GaN類半導體層技術的相關專利。404專利是與在藍寶石基片表面附近封入原料氣體的技術。其特點是，在生長GaN類半導體膜的基片(藍寶石基片等)表面沿水平方向通入原料氣體，同時為了將原料氣體固定在基片表面，還沿垂直方向向基片表面通入非活性氣體。