- 2025-06-25 14:53《GaN半導體激光器產業發展藍皮書》啟動編制工作，征集參編單位！
- 2025-06-12 18:16CSA半導體激光器專委會啟動半導體激光器團體標準制定與GaN激光器產業發展藍皮書編制工作
- 2025-03-28 15:02晶能光電申請 GaN 基 LED 外延結構及其制備方法等專利，顯著提高 LED 發光效率
- 2024-09-18 13:52Lumileds實現InGaN紅光LED新效率，解決MicroLED顯示難題
- 2024-07-29 14:34德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目開工
- 2023-12-12 16:46韓國高校實現石墨烯基板生長柔性GaN Micro LED陣列
- 2023-09-18 11:05晶能光電周名兵：硅襯底GaN基近紫外LED技術開發及應用
- 2023-03-14 14:26鴻海攜手陽明交大等開發高色純度InGaN紅光Micro LED
- 2023-01-29 13:50廈門大學研究團隊發表GaN基Micro LED重要成果
- 2023-01-12 18:12Sundiode與Soft-Epi開發全InGaN堆疊式RGB MicroLED
- 2022-12-22 12:06中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發光材料與器件產業化關鍵技術獲得立項
- 2022-11-03 14:18MICLEDI宣布研發出50nm半峰全寬630nm波長紅色GaN MicroLED
- 2022-08-17 18:23上海福賽特：打造中國領先的LED/GaN半導體AMHS設備提供商
- 2022-07-12 09:44GaN將給智能快充領域帶來什么新機會？
- 2022-06-23 11:24限時回放|強芯沙龍第二期精彩不容錯過！大咖做客暢聊GaN功率半導體的現在與未來
- 2022-05-24 11:44韓企Soft-Epi：可利用現有MOCVD批量生產紅色LED 正在推出用于MicroLED的GaN紅色外延片
- 2022-05-10 11:02韓國GaN技術開發商Soft-EPi開發紅色InGaN外延
- 2022-01-04 14:04歐普照明：將GaN（氮化鎵）技術應用于照明驅動電源上
- 2021-12-28 08:58蘇州納米所劉建平團隊研制國產GaN基綠光激光器性能再突破！
- 2021-12-24 18:09中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所唐永軍：硅襯底GaN基激光器研究進展
- 2021-12-15 17:35中山大學張佰君：單顆電驅動金字塔結構InGaN/GaN Micro-LED及其在光遺傳學中的應用
- 2021-12-15 17:12南京大學許非凡：GaN基Micro-LED光源的高速可見光通信研究
- 2021-12-13 10:02中民研究院常務副院長閆春輝博士：維持Haitz定律：超高電流密度下改善高功率GaN基LED的Droop效應
- 2021-12-13 09:44福州大學孫捷教授：低維納米材料在GaN LED芯片上的應用
- 2021-10-25 17:14英諾賽科鄒艷波：GaN助力LED驅動電源輕薄化
- 2021-10-20 16:43Porotech開發出全球首款天然紅InGaN基Micro LED顯示器，顯示面積0.55英寸
- 2021-10-19 18:20LEDCON 2021前瞻：GaN助力LED電源輕薄化
- 2021-08-12 15:56Micro LED顯示器廠商JBD與GaN Micro LED材料開發商Porotech達成合作
- 2021-08-09 16:24晶方科技擬投資第三代半導體領域GaN器件全球領先者Vis IC公司
- 2021-04-19 13:45研究人員發現一種可量化不同銦濃度下氮化銦鎵(InGaN)量子阱中成分波動狀況的方法
- 2021-03-19 12:04UCSB宣稱已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基紅光Micro LED芯片
- 2021-03-05 14:12SiC和GaN功率半導體將并駕齊驅，國產替代將是未來發展方向
- 2020-12-22 17:27蘇州晶湛半導體張麗旸：應用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新進展
- 2020-12-09 18:23復旦大學田朋飛：基于GaN的可用于固態照明、顯示和雙向可見光通信的多功能器件
- 2020-12-09 15:59深圳大學劉新科：大面積MoS2-on-GaN范德華異質結的光子器件應用
- 2020-12-08 16:11三安光電副總經理張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進展
- 2020-12-07 15:57南京大學劉斌：具有GaN隧道結的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備
- 2020-12-03 18:04天津工業大學于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析
- 2020-11-25 12:16英諾賽科駱薇薇：時代 “芯”機 “GaN”想“GaN”干
- 2020-10-20 18:01聚燦光電：力推GaN基高光效LED芯片擴產
- 2020-09-18 11:30北京大學教授沈波：AlGaN基深紫外發光材料和器件技術進展
- 2020-07-23 17:55UCSB團隊利用MOCVD隧道結提高InGaN Micro LED效率
- 2020-06-15 11:38碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
- 2020-06-11 08:45碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路
- 2020-05-19 09:37【收藏】第三代寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現狀
- 2020-05-11 10:33【極智課堂】劉志宏：面向5G應用的Si基GaN微波毫米波器件技術研究進展
- 2020-04-07 09:02募資15億！華燦投資Mini/Micro LED、GaN功率器件等
- 2020-02-24 23:03【極智課堂】汪煉成：先進GaN基LED器件研究-從半導體照明到Micro-LED顯示和可見光通信
- 2020-01-15 00:00新發現：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
- 2020-01-14 11:30新發現：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
- 2019-12-11 17:39挪威科學技術院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
- 2019-12-11 17:19廈門大學高娜：可原子尺度精確調控的AlN/GaN結構分選生長
- 2019-12-06 15:31Plessey開發出世界上首個硅基InGaN紅光LED
- 2019-11-29 10:59中科院半導體所副研究員張逸韻：InGaN基超高能效LED核心材料及器件技術研究進展
- 2019-11-29 10:43福州大學孫捷教授：面向下一代主動驅動、高分辨GaNμ-LED顯示
- 2019-11-29 10:10西安交通大學張敏妍：空氣腔結構在GaN基垂直結構LED工藝中的影響
- 2019-11-28 14:13挪威科學技術院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
- 2019-11-28 10:53CASA發布SiC、GaN痕量雜質SIMS檢測方法兩項團體標準
- 2019-11-27 17:41美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭：基于MOVPE技術生長GaN表面的原位相干X射線研究
- 2019-11-27 17:09中南大學教授汪煉成：設計制造復合金屬等離激元同時提高GaN LED效率和顯色指數研究
- 2019-11-27 13:12廈門大學高娜：可原子尺度精確調控的AlN/GaN結構分選生長
- 2019-11-27 11:25鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響
- 2019-11-27 11:21日本德島大學周繼禹：高鋁組分的AlGaN/GaN異質結pH傳感器
- 2019-11-27 10:53比利時IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術
- 2019-11-27 10:45加拿大GaN Power副總裁兼聯合創始人傅玥：氮化鎵：啟動未來
- 2019-11-27 10:38日本德島大學教授敖金平：常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展
- 2019-11-27 10:20加拿大多倫多大學教授吳偉東：用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片
- 2019-11-19 09:17IFWS2019丨功率電子器件及封裝技術 (GaN和SiC)論壇將于26日召開
- 2019-11-06 09:42SSLCHINA&IFWS2019丨襯底、外延及生長裝備（SiC·GaN）分會日程出爐
- 2019-09-23 12:56GaN電力電子器件細分市場及前景分析
- 2018-11-08 14:53日本名城大學副教授Motoaki IWAYA： AlGaN激光的現狀與問題
- 2018-11-03 12:08復旦大學田朋飛教授：智能GaN基micro-LED陣列
- 2018-11-02 08:49西安電子科技大學趙子越博士：基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
- 2018-11-02 08:36四川益豐基礎研發部部長王祁鈺：100nm 和 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品
- 2018-11-01 19:27南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
- 2018-11-01 18:41廈門大學教授黃凱：深紫外AlGaN多量子阱納米柱LED中內量子效率和光提取效率的增強
- 2018-11-01 10:47沙特阿卜杜拉國王科技大學Kazuhiro Ohkawa教授：用于生長優化和反應器設計的AlGaN MOCVD仿真
- 2018-11-01 09:47北京大學副教授許福軍：高質量AlN外延生長及AlGaN基深紫外LED研究
- 2018-10-31 17:51加拿大多倫多大學教授吳偉東：用于GaN功率晶體管的智能驅動器IC
- 2018-10-31 17:46北京大學馮玉霞博士：Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究
- 2018-07-27 09:10KAUST大學開發奈米AlGaN發光裝置，可提升UV LED效能
- 2018-05-21 10:512018年1季度SiC和GaN企業的最新動態
- 2018-04-16 09:38科銳與Nexperia簽署GaN功率器件專利授權協議
- 2018-03-29 08:32飛利浦照明被Navigant Research評定為照明行業的物聯網影響力先鋒
- 2018-02-27 09:36技術薈|松下研發出新型MIS結構的Si基GaN功率晶體管
- 2018-02-24 09:15最新研究：InGaN量子井在LED的局限性
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- 2018-02-05 17:19ALLOS 新型Si基GaN外延片的擊穿電壓超過 1400 V
- 2017-12-21 09:22從產品到應用 GaN（氮化鎵）將成為功率半導體市場發展新動力
- 2017-11-22 13:51韓國嶺南大學教授Ja-soon JANG：GaN基LED器件可靠性特性分析方法
- 2017-11-09 10:17中南大學教授汪煉成：采用濕法刻蝕GaN微金字塔結構Q值超過6000的光泵激光
- 2017-11-07 18:09中科院微電子所研究員黃森：基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造
- 2017-11-07 18:04張連：選擇區域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發射器
- 2017-11-07 17:46英諾賽科副總經理金源?。?00mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝
- 2017-11-07 17:40北京大學微電子學院陶明：高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT
- 2017-11-07 17:36Alexander LOESING：無碳摻雜GaN-on-Si大外延片實現低漏電流
- 2017-11-07 17:19加拿大多倫多大學教授Wai Tung NG:GaN功率晶體管的柵極驅動器集成電路
- 2017-11-07 16:02挪威科學技術大學教授Helge WEMAN：石墨烯/玻璃上AlGaN納米線倒裝紫外LED生長
- 2017-11-07 15:14美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU：照明和顯示應用GaN納米結構的局部應變工程技術
- 2017-11-06 17:24北京大學副教授許福軍：納米圖案藍寶石基板生長高質量的AlN和AlGaN量子阱
- 2017-11-06 16:29日本理化學研究所量子光電設備實驗室首席科學家Hideki HIRAYAMA ：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展
- 2017-11-06 15:57中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅：InAlN/GaN HFETs的可靠性評估和高頻特性研究
- 2017-11-06 15:00英國布里斯托大學教授Martin KUBALL：極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術
- 2017-11-06 13:15IFWS2017：SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性技術分會在京召開
- 2017-11-05 16:03中科院半導體研究所研究員張韻：納米圖案AlN/藍寶石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取
- 2017-11-05 15:22荷蘭Ampleon公司可靠性專家陶國橋：開發GaN技術晶圓級可靠性
- 2017-11-05 15:09中興通訊射頻功放平臺總工劉建利 ：5G 用GaN功率放大器
- 2017-11-05 14:40南京電子器件研究所高級工程師吳少兵：W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器
- 2017-11-02 15:51瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN：GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展
- 2017-09-08 09:13氮化鎵|美國納微半導體公司即將展出最新GaN功率芯片
- 2017-08-21 10:16溝槽填充p型氮化鎵可增加InGaN LED輸出功率
- 2017-07-25 16:31技術薈| 垂直GaN二極管再生長技術又有新突破
- 2017-07-07 09:05Imec開發出世界上首個8英寸無色散常閉式/增強型硅基GaN功率器件
- 2017-04-12 15:36歐洲GaN學術拓展精進之旅：中國頂尖專家團組即將開拔
- 2017-03-06 09:04關于聯盟組團赴歐參加ICNS學術會議暨歐洲GaN學術拓展精進之旅的通知
- 2016-12-16 09:36使用GaN基板將GaN功率元件FOM減至1/3
- 2016-12-09 08:43松下試制1.7kV GaN功率元件，導通電阻低于SiC MOSFET
- 2016-12-08 10:58科研人員發現GaN耐磨性接近鉆石，或可用于觸摸屏等
- 2016-11-30 08:53戰略性先進電子材料重點專項—“面向下一代移動通訊的GaN基射頻器件關鍵技術及系統應用”項目啟動會在深圳召開
- 2016-11-29 08:55【SSLCHINA 2016】中微半導體高級工藝工程師李洪偉：大尺寸基片上生長的GaN基LED和HEMT器件
- 2016-11-29 08:40【SSLCHINA 2016】愛思強Jens Voigt：藍寶石襯底上使用31x4”規格的Aixtron AIX R6 MOCVD設備大規模生產InGaN基藍光LED
- 2016-11-22 13:32【IFWS 2016】劉揚: 基于選區外延技術制備具有高質量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強型GaN基MOSFET
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質外延生長和器件特征
- 2016-11-22 12:53【IFWS 2016】Mark Mackee: 單晶反應腔技術到電力電子規模制造的GaN-Si MOCVD
- 2016-11-22 12:34【IFWS 2016】yuhao zhang: 電力電子采用的低成本高性能的垂直GaN二極管和晶體管
- 2016-11-22 11:12【IFWS 2016】Fred C. LEE: GaN引領產業變革
- 2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時高性能超薄第四組InAlGaN勢壘HEMT器件
- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長
- 2016-11-19 17:40【SSLCHINA 2016】Ian MORGAN：強光照預防近視和高度近視
- 2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半導體研究所王元剛：加速推動GaN器件在無線通訊系統中的產業化應用
- 2016-11-19 15:22【IFWS 2016】中興通訊射頻功放平臺總工劉建利：未來移動通信基站GaN射頻功率器件漸成主流
- 2016-09-12 10:09我國發展化合物半導體產業正當時
- 2016-08-29 10:09氮化鎵系統創始人退休
- 2016-06-28 11:44推動歷史進程的十大材料
- 2016-04-18 09:30日本啟動GaN開發項目，諾獎得主天野領軍
- 2016-03-04 08:48英國專家用半極性GaN生長高效益LED
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- 2016-01-11 13:58唐國慶：禮贊,中國LED人
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- 2014-12-08 00:00高亮度藍光LED研究再獲進展
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- 2014-11-20 00:00松下展示GaN基板白色LED 可提高車前燈設計自由度
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- 2014-07-11 00:00東京大學利用濺射法實現在玻璃基板上造LED
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- 2014-05-09 00:00LED行業未來3年硅基GaN專利戰將全面打響
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- 2014-03-26 00:00美研究人員開發GaN LED新型涂層 提升LED亮度
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- 2014-01-13 00:00LED照明迎來新增長 芯片原材料鎵和銦金屬受益
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- 2014-01-13 00:00LED襯底|基板(substrate)
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- 2013-12-17 00:00日本研究低阻值的n-AlGaN 可提升15%電光轉換效率
- 2013-11-13 00:00劉志強：低維結構—GaN LED的潛在發展趨勢
- 2013-11-04 00:00解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”
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