11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。會上，日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波，山東大學教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現剛共同主持了本次分會。
美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭做了題為“基于MOVPE技術生長GaN表面的原位相干X射線研究”的主題報告，分享了最新研究成果。鞠光旭師從天野浩教授（2014諾貝爾物理學獎獲得者）和名古屋同步輻射中心長竹田美和教授，從2009年開始，她一直從事X射線實時/原位監測氮化物半導體外延生長的研究和應用。目前，以助理研究教授的身份就職于亞利桑那州立大學電氣、計算機與能源工程學院，主要研究半導體材料中的缺陷對器件性能的影響。
鞠光旭表示，原位X射線散射對于研究晶體和外延生長是一個非常有效的工具。隨著相干X射線技術的到來，其使用了X射線亮度持續增長的優點，其研究團隊已經開發出一種下一代的原位同步加速器X射線研究用儀器，這項研究主要是采用相干X射線束研究晶體生長中的高精度和穩定性要求。這個儀器可以實現先進的X射線技術，包含X射線光子相關光譜、相干衍射成像、微衍射等，為了能夠實現在外延生長中給原子狀態打開一個新窗口。
研究結果顯示，在m平面生長觀察到的結果與Kinetic Monte Carlo在c和m平面的模擬進行對比，然后在氮化鎵生長的c平面上討論全新的結構和特性。研究者通過原位X射線散射的方法發現了生長速率和條件與表面階梯的形狀有關。
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