11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。會上，日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業(yè)大學(xué)兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學(xué)副教授林偉，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何亞偉等來自中外的強(qiáng)勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波，山東大學(xué)教授、晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任徐現(xiàn)剛共同主持了本次分會。
美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭做了題為“基于MOVPE技術(shù)生長GaN表面的原位相干X射線研究”的主題報告，分享了最新研究成果。鞠光旭師從天野浩教授（2014諾貝爾物理學(xué)獎獲得者）和名古屋同步輻射中心長竹田美和教授，從2009年開始，她一直從事X射線實(shí)時/原位監(jiān)測氮化物半導(dǎo)體外延生長的研究和應(yīng)用。目前，以助理研究教授的身份就職于亞利桑那州立大學(xué)電氣、計算機(jī)與能源工程學(xué)院，主要研究半導(dǎo)體材料中的缺陷對器件性能的影響。
鞠光旭表示，原位X射線散射對于研究晶體和外延生長是一個非常有效的工具。隨著相干X射線技術(shù)的到來，其使用了X射線亮度持續(xù)增長的優(yōu)點(diǎn)，其研究團(tuán)隊已經(jīng)開發(fā)出一種下一代的原位同步加速器X射線研究用儀器，這項(xiàng)研究主要是采用相干X射線束研究晶體生長中的高精度和穩(wěn)定性要求。這個儀器可以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的X射線技術(shù)，包含X射線光子相關(guān)光譜、相干衍射成像、微衍射等，為了能夠?qū)崿F(xiàn)在外延生長中給原子狀態(tài)打開一個新窗口。
研究結(jié)果顯示，在m平面生長觀察到的結(jié)果與Kinetic Monte Carlo在c和m平面的模擬進(jìn)行對比，然后在氮化鎵生長的c平面上討論全新的結(jié)構(gòu)和特性。研究者通過原位X射線散射的方法發(fā)現(xiàn)了生長速率和條件與表面階梯的形狀有關(guān)。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
