2016年11月15日至17日，中國科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際會議在北京國際會議中心舉行。其中，大會從技術、產業、應用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應用峰會、合作論壇和創新大賽等多種形式，圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用設置多個專場重點討論。

　　11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術設置的專題分會，由山東大學校長、教授張榮，北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯合坐鎮，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導體電力電子器件的盛會。會議現場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！

 

　　會上，來自麻省理工學院教授Tomas PALACIOS的學生yuhao zhang博士來代他介紹了“電力電子采用的低成本高性能的垂直GaN二極管和晶體管”主題報告。

　　Yuhao Zhang (張宇昊) 是麻省理工學院Tomás Palacios研究組中的博士研究生。他于2011年本科畢業于北京大學物理學院，2013年碩士畢業于麻省理工學院電子工程于計算機科學系。他的主要研究興趣是基于氮化鎵材料的電力電子器件和射頻器件。他在IEEE International Electron Device Meeting、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices等頂級會議及期刊上發表超過25篇文章，并有多次邀請報告和5項美國專利。

 

　　他表示，基于寬禁帶半導體的電力電子器件有望極大地減小電力轉化電路和系統的損耗以及提高功率密度，進而減小10%當前全世界的能量消耗。

 

　　垂直結構的氮化鎵電力電子器件非常有希望于應用于下一代電力電子系統中。相比于水平結構氮化鎵電力電子器件，垂直結構器件可以在不增加芯片面積的情況下實現較大的耐壓和電流，以及更好的散熱性能。但是，氮化鎵襯底的高成本成為掣肘垂直結構的氮化鎵器件商品化的重要瓶頸。

 

　　隨后，yuhao zhang介紹了一種新型的垂直結構肖特基二極管。它利用MIS、trench和filed ring等結構，可以極高地提高二極管的耐壓并減小反向漏電流。其次，我們將介紹一種新型的垂直結構三極管。它不需要使用p型氮化鎵，可以實現常關型性能。

 

　　最后，雖然利用氮化鎵襯底可以實現較高的性能，我們介紹我們在低成本的硅襯底上同樣實現了高性能的氮化鎵器件，這有望于極大地降低氮化鎵垂直器件的成本。