2016年11月15日至17日，中國(guó)科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇（以下簡(jiǎn)稱“跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”）在北京國(guó)際會(huì)議中心舉行。其中，大會(huì)從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會(huì)、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置多個(gè)專場(chǎng)重點(diǎn)討論。

　　11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置的專題分會(huì)，由山東大學(xué)校長(zhǎng)、教授張榮，北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任張國(guó)義，美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國(guó)工程院院士Fred C. LEE聯(lián)合坐鎮(zhèn)，召集了全球頂級(jí)專家精英，打造一場(chǎng)氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會(huì)。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)十分火爆，受場(chǎng)地限制，很多與會(huì)代表都站著聽完會(huì)議，火爆程度可想而知！

 

　　會(huì)上，來自美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國(guó)工程院院士Fred C. LEE首先以“GaN引領(lǐng)變革”為題開啟一天的精彩日程。

　　Fred C. Lee教授1968年獲得臺(tái)灣國(guó)立成功大學(xué)電機(jī)工程學(xué)士學(xué)位，并分別于1972年和1974年獲得杜克大學(xué)的電機(jī)工程碩士及博士學(xué)位。Lee博士現(xiàn)為弗吉尼亞理工大學(xué)的大學(xué)特聘教授，兼任弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心（CPES，卓越的電力電子研究方面的學(xué)術(shù)中心）創(chuàng)始人及主任。作為力電子系統(tǒng)中心主任，Lee博士領(lǐng)導(dǎo)了一個(gè)結(jié)合研究，技術(shù)發(fā)展，教育宣傳，產(chǎn)業(yè)合作及技術(shù)轉(zhuǎn)移于一體的項(xiàng)目。中心專注于能夠迎合產(chǎn)業(yè)需求的研究，并使產(chǎn)業(yè)能夠得利于中心的研究及成果。

 

　　Lee博士的主要研究領(lǐng)域包括高頻功率轉(zhuǎn)換，磁學(xué)和電磁干擾，分布式電源系統(tǒng)，可再生能源，電能質(zhì)量，高密度電子封裝和集成，以及建模與控制。Lee博士擁有77個(gè)美國(guó)專利，發(fā)表了277篇期刊文章及702篇審閱技術(shù)論文。他在弗吉尼亞理工大學(xué)任職期間，Lee博士已指導(dǎo)過80名博士生和89名碩士生畢業(yè)。根據(jù)Microsoft H index指數(shù)，Lee博士被全球超過250萬工程學(xué)作者引用過，因此成為最佳三位被引用作者之一。

 

　　他在會(huì)上表示，目前在功率電子產(chǎn)品的生產(chǎn)中，必須考慮品質(zhì)和可靠性，重點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度和低成本。這個(gè)領(lǐng)域未來的發(fā)展將會(huì)與功率器件、材料和制造技術(shù)的進(jìn)展緊密相關(guān)。隨著寬帶隙功率器件的最新進(jìn)展，相信交換器的產(chǎn)生將會(huì)在很大程度上影響以上三個(gè)方面。

 

　　很明顯，對(duì)于任何設(shè)計(jì)，如果簡(jiǎn)單地用WBG替換硅器件，將會(huì)獲得效率的提高。盡管這是一個(gè)很大的貢獻(xiàn)，但是僅僅停留于此對(duì)WBG不公平。WBG器件能夠在更高頻率下工作。因此，可以采用WBG將器件尺寸降低5-10倍，并且在一些應(yīng)用中已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。僅僅停留于此，不能充分發(fā)揮WBG的潛力。

 

　　設(shè)計(jì)與現(xiàn)有的硅器件相比，轉(zhuǎn)換頻率為10X，20X甚至50X的轉(zhuǎn)換器，是充滿挑戰(zhàn)性的。某些這種的設(shè)計(jì)不僅能夠提高性能，并且能夠在生產(chǎn)中減少勞動(dòng)量。